晶體管

型號	描述	庫存
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15.1pF @ 3V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,074
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-µDFN (2x2)	庫存4,302
SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存106,050
SSM6N57NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-µDFN (2x2)	庫存25,812
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 129pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)	庫存178,158
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)	庫存5,670
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 177pF @ 10V 功率-最大: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存45,852
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 15V 功率-最大: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)	庫存29,988
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 129pF @ 15V 功率-最大: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)	庫存24,894
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存3,312
SSM6N7002BFE(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存8,568
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,916
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存4,428
SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V 功率-最大: 285mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存266,466
SSM6N7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V 功率-最大: 285mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存666,396
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V 功率-最大: 1.8W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 6-TSOP-F	庫存6,048
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存68,556
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V 功率-最大: 200mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存48,372
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V 功率-最大: 150mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存81,318
SSM6P35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V 功率-最大: 285mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存25,890
SSM6P35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存3,042
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存35,268
SSM6P36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存6,840
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V 功率-最大: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UF6	庫存55,446
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,914
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,888
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 720mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.76nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)	庫存34,788
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)	庫存22,698
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.74nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 10V 功率-最大: 1W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)	庫存24,612
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS- 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,544

SSM6N48FU,RF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15.1pF @ 3V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,074

SSM6N55NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-µDFN (2x2)

庫存4,302

SSM6N56FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55pF @ 10V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存106,050

SSM6N57NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-µDFN (2x2)

庫存25,812

SSM6N58NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 129pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)

庫存178,158

SSM6N61NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-UDFNB (2x2)

庫存5,670

SSM6N62TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 800mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 177pF @ 10V
功率-最大: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存45,852

SSM6N67NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 15V
功率-最大: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)

庫存29,988

SSM6N68NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 129pF @ 15V
功率-最大: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)

庫存24,894

SSM6N7002BFE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存3,312

SSM6N7002BFE(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存8,568

SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,916

SSM6N7002BFU(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 25V
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存4,428

SSM6N7002CFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17pF @ 10V
功率-最大: 285mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存266,466

SSM6N7002KFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40pF @ 10V
功率-最大: 285mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存666,396

SSM6N815R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 4V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V
功率-最大: 1.8W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 6-TSOP-F

庫存6,048

SSM6P15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存68,556

SSM6P15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V
功率-最大: 200mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存48,372

SSM6P35AFE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V
功率-最大: 150mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存81,318

SSM6P35AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVII
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.2V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 42pF @ 10V
功率-最大: 285mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存25,890

SSM6P35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存3,042

SSM6P35FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.2pF @ 3V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存35,268

SSM6P36FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存6,840

SSM6P36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 330mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 10V
功率-最大: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UF6

庫存55,446

SSM6P39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,914

SSM6P40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,888

SSM6P41FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 720mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 10V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6 (1.6x1.6)

庫存34,788

SSM6P47NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)

庫存22,698

SSM6P49NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.74nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 10V
功率-最大: 1W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-UDFN (2x2)

庫存24,612

SSM6P54TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,544

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