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型號	描述	庫存
AON3806 Alpha & Omega Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-DFN (2.9x2.3)	庫存53,909
HUFA76407DK8T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存27,329
IRF7341PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存58,528
IRF7328PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存860
IRF7319PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存288
IRF8915 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存378
IRF7754 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1984pF @ 6V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存109
IRF7103Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存10,656
IRF7507TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存1,813
IRF7506TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存5,032
NDS9955 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V 功率-最大: 900mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存2,829
NDS8926 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 10V 功率-最大: 900mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存39
STS8DNH3LL STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC 制造商: STMicroelectronics 系列: STripFET™ III FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 857pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存10,776
VMM650-01F IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 680A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1440nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Y3-Li 供應商設備包裝: Y3-Li	庫存140
APTM08TAM04PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V 功率-最大: 138W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存5,861
AO8808A Alpha & Omega Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 10V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存15,367
DMN5L06VKQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存161,437
SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1170pF @ 50V 功率-最大: 46W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual	請求報價
STL8DN10LF3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V 功率-最大: 70W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)	庫存989
CSD87313DMS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-WSON (3.3x3.3)	庫存12,182
STL8DN6LF3 STMicroelectronics	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 制造商: STMicroelectronics 系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 668pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)	庫存1,185
FDS8935 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: PowerTrench® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 879pF @ 40V 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存2,944
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V 功率-最大: 400mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存3,872
FTCO3V455A1 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE 制造商: ON Semiconductor 系列: SPM® FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 115W 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 19-PowerDIP Module 供應商設備包裝: Module	庫存60
SLA5061 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存2,354
BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 22mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 10V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: - 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存94
TC8020K6-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: 6 N and 6 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 56-VFQFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 56-QFN (8x8)	庫存27
EPC2111 EPC	晶體管-FET，MOSFET-陣列 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商: EPC 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,137
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 功率-最大: 38W (Tc), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存418
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SIC POWER MODULE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 50mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V 功率-最大: 880W 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存2,471

AON3806

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-DFN

制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-DFN (2.9x2.3)

庫存53,909

HUFA76407DK8T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存27,329

IRF7341PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存58,528

IRF7328PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存860

IRF7319PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存288

IRF8915

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存378

IRF7754

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1984pF @ 6V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存109

IRF7103Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存10,656

IRF7507TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存1,813

IRF7506TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存5,032

NDS9955

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V
功率-最大: 900mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存2,829

NDS8926

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 10V
功率-最大: 900mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存39

STS8DNH3LL

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

制造商: STMicroelectronics
系列: STripFET™ III
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 857pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存10,776

VMM650-01F

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

制造商: IXYS
系列: HiPerFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 680A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1440nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Y3-Li
供應商設備包裝: Y3-Li

庫存140

APTM08TAM04PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V
功率-最大: 138W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存5,861

AO8808A

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.9A 8TSSOP

制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1810pF @ 10V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存15,367

DMN5L06VKQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 280mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存161,437

SI7252DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1170pF @ 50V
功率-最大: 46W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® SO-8 Dual

請求報價

STL8DN10LF3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 970pF @ 25V
功率-最大: 70W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)

庫存989

CSD87313DMS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-WSON (3.3x3.3)

庫存12,182

STL8DN6LF3

STMicroelectronics

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6

制造商: STMicroelectronics
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 668pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerFlat™ (5x6)

庫存1,185

FDS8935

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 879pF @ 40V
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存2,944

DMN5L06DMKQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
功率-最大: 400mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存3,872

FTCO3V455A1

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE

制造商: ON Semiconductor
系列: SPM®
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.66mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 115W
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 19-PowerDIP Module
供應商設備包裝: Module

庫存60

SLA5061

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存2,354

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 22mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 10V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: -
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存94

TC8020K6-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: 6 N and 6 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 56-VFQFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 56-QFN (8x8)

庫存27

EPC2111

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

制造商: EPC
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,137

SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
功率-最大: 38W (Tc), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存418

BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SIC POWER MODULE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 50mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
功率-最大: 880W
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存2,471

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