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內存IC

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頁面 1168/1578
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型號
描述
庫存
數量
MT47H32M16NF-25E IT:H TR
MT47H32M16NF-25E IT:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)
庫存56,130
MT47H32M16U67A3WC1
MT47H32M16U67A3WC1

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 512Mb (32M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: -
  • 寫周期-字,頁: -
  • 訪問時間: -
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,572
MT47H32M8BP-37E:B TR
MT47H32M8BP-37E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 267MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 500ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)
庫存5,112
MT47H32M8BP-37V:B
MT47H32M8BP-37V:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 267MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 500ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)
庫存7,308
MT47H32M8BP-3:B TR
MT47H32M8BP-3:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)
庫存3,168
MT47H32M8BP-5E:B
MT47H32M8BP-5E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 600ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)
庫存2,070
MT47H32M8BP-5E:B TR
MT47H32M8BP-5E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 256Mb (32M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 600ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-FBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (8x12)
庫存3,150
MT47H512M4EB-187E:C
MT47H512M4EB-187E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 350ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)
庫存8,046
MT47H512M4EB-25E:C
MT47H512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)
庫存2,070
MT47H512M4EB-25E:C TR
MT47H512M4EB-25E:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)
庫存3,562
MT47H512M4EB-3:C
MT47H512M4EB-3:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 60-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 60-FBGA (9x11.5)
庫存5,562
MT47H512M4THN-25E:H
MT47H512M4THN-25E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)
庫存7,038
MT47H512M4THN-25E:M
MT47H512M4THN-25E:M

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)
庫存3,330
MT47H512M4THN-25E:M TR
MT47H512M4THN-25E:M TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (8x10)
庫存2,250
MT47H512M4THN-37E:E TR
MT47H512M4THN-37E:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 267MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 500ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-FBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (9x11.5)
庫存5,436
MT47H512M4THN-3:E TR
MT47H512M4THN-3:E TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-FBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (9x11.5)
庫存8,424
MT47H512M4THN-3:H
MT47H512M4THN-3:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 2Gb (512M x 4)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-FBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (9x11.5)
庫存5,868
MT47H512M8WTR-25E:C
MT47H512M8WTR-25E:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (9x11.5)
庫存1
MT47H512M8WTR-25E:C TR
MT47H512M8WTR-25E:C TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (9x11.5)
庫存7,362
MT47H512M8WTR-3:C
MT47H512M8WTR-3:C

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 4Gb (512M x 8)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 63-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 63-FBGA (9x11.5)
庫存3,474
MT47H64M16B7-37E:A
MT47H64M16B7-37E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 267MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 92-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)
庫存8,820
MT47H64M16B7-37E:A TR
MT47H64M16B7-37E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 267MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 92-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)
庫存6,858
MT47H64M16B7-5E:A
MT47H64M16B7-5E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 600ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 92-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)
庫存5,868
MT47H64M16B7-5E:A TR
MT47H64M16B7-5E:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 600ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 92-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)
庫存5,040
MT47H64M16BT-37E:A
MT47H64M16BT-37E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 267MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 92-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)
庫存2,466
MT47H64M16BT-3:A TR
MT47H64M16BT-3:A TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 333MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 450ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 92-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)
庫存6,804
MT47H64M16BT-5E:A
MT47H64M16BT-5E:A

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 200MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 600ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 92-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 92-FBGA (11x19)
庫存3,564
MT47H64M16HR-187E:H
MT47H64M16HR-187E:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 350ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)
庫存6,516
MT47H64M16HR-187E:H TR
MT47H64M16HR-187E:H TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 533MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 350ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)
庫存5,256
MT47H64M16HR-25E AAT:H
MT47H64M16HR-25E AAT:H

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 制造商: Micron Technology Inc.
  • 系列: -
  • 內存類型: Volatile
  • 內存格式: DRAM
  • 技術: SDRAM - DDR2
  • 內存大小: 1Gb (64M x 16)
  • 內存接口: Parallel
  • 時鐘頻率: 400MHz
  • 寫周期-字,頁: 15ns
  • 訪問時間: 400ps
  • 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 84-TFBGA
  • 供應商設備包裝: 84-FBGA (8x12.5)
庫存8,064