晶體管

型號	描述	庫存
AT-64000-GP4 Broadcom	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP 制造商: Broadcom Limited 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 110mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: -	庫存7,092
AT-64020 Broadcom	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 200SMD 制造商: Broadcom Limited 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 110mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD (200 mil BeO) 供應商設備包裝: -	庫存2,214
AT-64023 Broadcom	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0 制造商: Broadcom Limited 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 110mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD (230 mil BeO) 供應商設備包裝: 230 mil Be0	庫存7,416
BF199 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 38 @ 7mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,060
BF199_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 38 @ 7mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,258
BF199_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 38 @ 7mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,380
BF240 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,243
BF240,112 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 150MHZ TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 150MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,652
BF240_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,592
BF240_J35Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,400
BF240_ND74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,694
BF494 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,266
BF494_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,160
BF494_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,106
BF 770A E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 6GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 9.5dB ~ 14.5dB 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,328
BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 10dB ~ 15dB 功率-最大: 580mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,724
BF 775 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益: 10.5dB ~ 16dB 功率-最大: 280mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,294
BF776E6327FTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.7V 頻率-過渡: 46GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益: 24dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 30mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: PG-SOT343-4	庫存7,992
BF776H6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.7V 頻率-過渡: 46GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益: 24dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 30mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: PG-SOT343-4	庫存24,888
BF799E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 280mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存8,964
BF799WE6327BTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 280mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存2,538
BF799WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 280mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存3,348
BF959 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz 增益: - 功率-最大: 625mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,650
BF959G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz 增益: - 功率-最大: 625mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,896
BF959RL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz 增益: - 功率-最大: 625mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,544
BF959RL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz 增益: - 功率-最大: 625mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,124
BF959ZL1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz 增益: - 功率-最大: 625mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,434
BF959ZL1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz 增益: - 功率-最大: 625mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,650
BFG10,215 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V 頻率-過渡: 1.9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-253-4, TO-253AA 供應商設備包裝: SOT-143B	庫存7,434
BFG10W/X,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 1.9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-343 Reverse Pinning 供應商設備包裝: 4-SO	庫存4,788

AT-64000-GP4

Broadcom

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP

制造商: Broadcom Limited
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 110mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: -

庫存7,092

AT-64020

Broadcom

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 200SMD

制造商: Broadcom Limited
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 110mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD (200 mil BeO)
供應商設備包裝: -

庫存2,214

AT-64023

Broadcom

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0

制造商: Broadcom Limited
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 110mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD (230 mil BeO)
供應商設備包裝: 230 mil Be0

庫存7,416

BF199

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 38 @ 7mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,060

BF199_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 38 @ 7mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,258

BF199_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 38 @ 7mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,380

BF240

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,243

BF240,112

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 150MHZ TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 150MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,652

BF240_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,592

BF240_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,400

BF240_ND74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,694

BF494

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,266

BF494_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,160

BF494_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 67 @ 1mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,106

BF 770A E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 6GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 9.5dB ~ 14.5dB
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 90mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,328

BF771E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 10dB ~ 15dB
功率-最大: 580mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 30mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,724

BF 775 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益: 10.5dB ~ 16dB
功率-最大: 280mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 15mA, 8V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 45mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,294

BF776E6327FTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.7V
頻率-過渡: 46GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益: 24dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 30mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: PG-SOT343-4

庫存7,992

BF776H6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4.7V
頻率-過渡: 46GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益: 24dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 180 @ 30mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: PG-SOT343-4

庫存24,888

BF799E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 280mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存8,964

BF799WE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 280mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存2,538

BF799WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 280mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 35mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存3,348

BF959

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz
增益: -
功率-最大: 625mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,650

BF959G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz
增益: -
功率-最大: 625mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,896

BF959RL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz
增益: -
功率-最大: 625mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,544

BF959RL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz
增益: -
功率-最大: 625mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,124

BF959ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz
增益: -
功率-最大: 625mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,434

BF959ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB @ 200MHz
增益: -
功率-最大: 625mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 20mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,650

BFG10,215

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V
頻率-過渡: 1.9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝: SOT-143B

庫存7,434

BFG10W/X,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 1.9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-343 Reverse Pinning
供應商設備包裝: 4-SO

庫存4,788

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