晶體管

型號	描述	庫存
MS2214 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M218 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.5dB 功率-最大: 300W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 2A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 250°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M218 供應商設備包裝: M218	庫存5,616
MS2215 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.5dB 功率-最大: 300W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16.5A 工作溫度: 250°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M216 供應商設備包裝: M216	庫存7,938
MS2225H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,194
MS2226H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,850
MS2228 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 175W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.4A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M214 供應商設備包裝: M214	庫存6,300
MS2244 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,906
MS2248 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,400
MS2266 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,582
MS2267 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 8.7dB 功率-最大: 575W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 250°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M214 供應商設備包裝: M214	庫存2,034
MS2272 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.6dB 功率-最大: 940W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M216 供應商設備包裝: M216	庫存2,700
MS2279 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,426
MS2284 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,408
MS2321 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 87.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M105 供應商設備包裝: M105	庫存3,330
MS2321A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,400
MS2322 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 87.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存2,988
MS2341 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 87.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.6A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存3,834
MS2348 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,330
MS2356A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,168
MS2361 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 87.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.6A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存8,676
MS2392 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,726
MS2393 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M138 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.2dB 功率-最大: 583W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 300mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 11A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M138 供應商設備包裝: M138	庫存6,606
MS2396 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,528
MS2421 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.3dB 功率-最大: 875W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M103 供應商設備包裝: M103	庫存8,820
MS2422 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.3dB 功率-最大: 875W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M138 供應商設備包裝: M138	庫存2,250
MS2441 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.5dB 功率-最大: 1458W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M112 供應商設備包裝: M112	庫存3,096
MS2472 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 5.6dB 功率-最大: 1350W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M112 供應商設備包裝: M112	庫存5,861
MS2473 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6dB 功率-最大: 2300W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 46A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M112 供應商設備包裝: M112	庫存5,490
MS2473A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,628
MS2477 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,806
MS2502A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,830

MS2214

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M218

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.5dB
功率-最大: 300W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 2A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 250°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M218
供應商設備包裝: M218

庫存5,616

MS2215

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.5dB
功率-最大: 300W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 16.5A
工作溫度: 250°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M216
供應商設備包裝: M216

庫存7,938

MS2225H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,194

MS2226H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,850

MS2228

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 175W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.4A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M214
供應商設備包裝: M214

庫存6,300

MS2244

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,906

MS2248

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,400

MS2266

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,582

MS2267

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 8.7dB
功率-最大: 575W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 250°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M214
供應商設備包裝: M214

庫存2,034

MS2272

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.6dB
功率-最大: 940W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M216
供應商設備包裝: M216

庫存2,700

MS2279

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,426

MS2284

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,408

MS2321

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 87.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M105
供應商設備包裝: M105

庫存3,330

MS2321A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,400

MS2322

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 87.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存2,988

MS2341

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 87.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.6A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存3,834

MS2348

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,330

MS2356A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,168

MS2361

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 87.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.6A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存8,676

MS2392

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,726

MS2393

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M138

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.2dB
功率-最大: 583W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 300mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 11A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M138
供應商設備包裝: M138

庫存6,606

MS2396

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,528

MS2421

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.3dB
功率-最大: 875W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M103
供應商設備包裝: M103

庫存8,820

MS2422

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.3dB
功率-最大: 875W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M138
供應商設備包裝: M138

庫存2,250

MS2441

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.5dB
功率-最大: 1458W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 22A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M112
供應商設備包裝: M112

庫存3,096

MS2472

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 5.6dB
功率-最大: 1350W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M112
供應商設備包裝: M112

庫存5,861

MS2473

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6dB
功率-最大: 2300W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 46A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M112
供應商設備包裝: M112

庫存5,490

MS2473A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,628

MS2477

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,806

MS2502A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,830

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