晶體管

型號	描述	庫存
MRF8372GR1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 9.5dB 功率-最大: 2.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,442
MRF8372GR2 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 9.5dB 功率-最大: 2.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,282
MRF8372MR1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS NPN 16V 200MA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,652
MRF8372R1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 9.5dB 功率-最大: 2.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,898
MRF8372R2 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 9.5dB 功率-最大: 2.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,752
MRF904 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 450MHz 增益: 6.5dB ~ 10.5dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存2,070
MRFC544 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,562
MRFC545 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,068
MS1001 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB 功率-最大: 270W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M174 供應商設備包裝: M174	庫存4,500
MS1001A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS RF BIPO 270W 20A 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,676
MS1003 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 136MHz ~ 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6dB 功率-最大: 270W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: M111 供應商設備包裝: M111	庫存8,190
MS1004 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14.5dB 功率-最大: 330W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M177 供應商設備包裝: M177	庫存8,298
MS1006 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14dB 功率-最大: 127W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 19 @ 1.4A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.25A 工作溫度: 200°C 安裝類型: Stud Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存5,022
MS1007 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14dB 功率-最大: 233W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 18 @ 1.4A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M174 供應商設備包裝: M174	庫存3,996
MS1008 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14dB 功率-最大: 233W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1.4A, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M164 供應商設備包裝: M164	庫存8,046
MS1014 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,598
MS1015D Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,140
MS1019 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,308
MS1030 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,528
MS1030DE Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,946
MS1051 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11dB ~ 13dB 功率-最大: 290W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M174 供應商設備包裝: M174	庫存8,190
MS1076 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB 功率-最大: 320W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 7A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M174 供應商設備包裝: M174	庫存7,110
MS1076A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,186
MS1076C Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,128
MS1087T Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,848
MS1202 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 118MHz ~ 136MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.4dB 功率-最大: 15W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存6,822
MS1226 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 18dB 功率-最大: 80W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存6,102
MS1227 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 30MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 15dB 功率-最大: 80W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存2,592
MS1261 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB 功率-最大: 34W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: M122 供應商設備包裝: M122	庫存3,402
MS1336 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 70W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存3,600

MRF8372GR1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 9.5dB
功率-最大: 2.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,442

MRF8372GR2

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 9.5dB
功率-最大: 2.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,282

MRF8372MR1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS NPN 16V 200MA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,652

MRF8372R1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 9.5dB
功率-最大: 2.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,898

MRF8372R2

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 9.5dB
功率-最大: 2.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,752

MRF904

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 450MHz
增益: 6.5dB ~ 10.5dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存2,070

MRFC544

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,562

MRFC545

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,068

MS1001

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB
功率-最大: 270W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M174
供應商設備包裝: M174

庫存4,500

MS1001A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS RF BIPO 270W 20A

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,676

MS1003

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 136MHz ~ 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6dB
功率-最大: 270W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: M111
供應商設備包裝: M111

庫存8,190

MS1004

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14.5dB
功率-最大: 330W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M177
供應商設備包裝: M177

庫存8,298

MS1006

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14dB
功率-最大: 127W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 19 @ 1.4A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.25A
工作溫度: 200°C
安裝類型: Stud Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存5,022

MS1007

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14dB
功率-最大: 233W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 18 @ 1.4A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M174
供應商設備包裝: M174

庫存3,996

MS1008

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14dB
功率-最大: 233W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1.4A, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M164
供應商設備包裝: M164

庫存8,046

MS1014

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,598

MS1015D

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,140

MS1019

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,308

MS1030

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,528

MS1030DE

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,946

MS1051

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11dB ~ 13dB
功率-最大: 290W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M174
供應商設備包裝: M174

庫存8,190

MS1076

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB
功率-最大: 320W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 7A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M174
供應商設備包裝: M174

庫存7,110

MS1076A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,186

MS1076C

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,128

MS1087T

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,848

MS1202

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 118MHz ~ 136MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.4dB
功率-最大: 15W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存6,822

MS1226

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 18dB
功率-最大: 80W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存6,102

MS1227

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 30MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 15dB
功率-最大: 80W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存2,592

MS1261

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB
功率-最大: 34W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 2.5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: M122
供應商設備包裝: M122

庫存3,402

MS1336

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 70W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存3,600

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