晶體管

型號	描述	庫存
MSC72111H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,880
MSC74070 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,802
MSC80205 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,870
MSC80806 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,246
MSC86580 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,222
MSD2714AT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存6,426
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.25dB @ 1GHz 增益: 10.5dB 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: PW-MINI	庫存49,482
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 11.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 700mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存51,288
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 10GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 12.5dB 功率-最大: 800mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UFM	庫存4,734
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.3V 頻率-過渡: 7.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz 增益: 10.5dB 功率-最大: 1.6W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: PW-MINI	庫存22,212
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.3V 頻率-過渡: 12.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz 增益: 11.8dB 功率-最大: 800mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存28,572
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.3V 頻率-過渡: 11.2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz 增益: 12.5dB 功率-最大: 900mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UFM	庫存27,966
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5V 頻率-過渡: 4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.4dB @ 1GHz 增益: 4.5dBi 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60mA 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存27,444
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz 增益: 16.5dB 功率-最大: 1.8W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: PW-MINI	庫存2,376
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 20mA, 5V 增益: 12dB 功率-最大: 900mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: UFM	庫存5,094
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-RF X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4V 頻率-過渡: 26.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.55dB @ 2GHz 增益: 16.9dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-82A, SOT-343 供應商設備包裝: USQ	庫存3,526
MX0912B251Y,114 Ampleon	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 制造商: Ampleon USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.4dB 功率-最大: 690W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-439A 供應商設備包裝: CDFM2	庫存6,570
MX0912B351Y,114 Ampleon	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 制造商: Ampleon USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.6dB 功率-最大: 960W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 21A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-439A 供應商設備包裝: CDFM2	庫存281
MZ0912B100Y,114 Ampleon	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 制造商: Ampleon USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.6dB 功率-最大: 290W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-443A 供應商設備包裝: CDFM2	庫存6,426
MZ0912B50Y,114 Ampleon	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 制造商: Ampleon USA Inc. 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB 功率-最大: 150W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SOT-443A 供應商設備包裝: CDFM2	庫存7,668
NE202930-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 11GHZ 3SMINMOLD 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 11GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.15dB @ 1GHz 增益: 13.5dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 5mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: 3-SuperMiniMold (30 PKG)	庫存5,256
NE202930-T1-A CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V 頻率-過渡: 11GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.15dB @ 1GHz 增益: 13.5dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 5mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SOT-323	庫存7,506
NE46134-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 7dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存4,266
NE46134-T1 CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: - 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存8,370
NE46134-T1-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 7dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存6,984
NE46134-T1-QR-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 7dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存2,700
NE46134-T1-QS-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 7dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存8,172
NE461M02-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 8.3dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存8,100
NE461M02-T1-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V SOT89 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 8.3dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: SOT-89	庫存2,196
NE461M02-T1-QR-AZ CEL	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 制造商: CEL 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益: 8.3dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-243AA 供應商設備包裝: -	庫存7,938

MSC72111H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,880

MSC74070

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,802

MSC80205

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,870

MSC80806

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,246

MSC86580

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,222

MSD2714AT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存6,426

MT3S111P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.25dB @ 1GHz
增益: 10.5dB
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: PW-MINI

庫存49,482

MT3S111(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 11.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 700mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存51,288

MT3S111TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 10GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 12.5dB
功率-最大: 800mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UFM

庫存4,734

MT3S113P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.3V
頻率-過渡: 7.7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz
增益: 10.5dB
功率-最大: 1.6W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: PW-MINI

庫存22,212

MT3S113(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.3V
頻率-過渡: 12.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz
增益: 11.8dB
功率-最大: 800mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存28,572

MT3S113TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5.3V
頻率-過渡: 11.2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz
增益: 12.5dB
功率-最大: 900mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 30mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UFM

庫存27,966

MT3S16U(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 5V
頻率-過渡: 4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.4dB @ 1GHz
增益: 4.5dBi
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60mA
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存27,444

MT3S20P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 1GHz
增益: 16.5dB
功率-最大: 1.8W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: PW-MINI

庫存2,376

MT3S20TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.45dB @ 20mA, 5V
增益: 12dB
功率-最大: 900mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: UFM

庫存5,094

MT4S300U(TE85L,O,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 4V
頻率-過渡: 26.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 0.55dB @ 2GHz
增益: 16.9dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 10mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝: USQ

庫存3,526

MX0912B251Y,114

Ampleon

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

制造商: Ampleon USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.4dB
功率-最大: 690W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-439A
供應商設備包裝: CDFM2

庫存6,570

MX0912B351Y,114

Ampleon

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

制造商: Ampleon USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.6dB
功率-最大: 960W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 21A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-439A
供應商設備包裝: CDFM2

庫存281

MZ0912B100Y,114

Ampleon

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

制造商: Ampleon USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.6dB
功率-最大: 290W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-443A
供應商設備包裝: CDFM2

庫存6,426

MZ0912B50Y,114

Ampleon

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

制造商: Ampleon USA Inc.
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB
功率-最大: 150W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SOT-443A
供應商設備包裝: CDFM2

庫存7,668

NE202930-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 11GHZ 3SMINMOLD

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 11GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.15dB @ 1GHz
增益: 13.5dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 5mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: 3-SuperMiniMold (30 PKG)

庫存5,256

NE202930-T1-A

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 6V
頻率-過渡: 11GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.15dB @ 1GHz
增益: 13.5dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 85 @ 5mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SOT-323

庫存7,506

NE46134-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 7dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存4,266

NE46134-T1

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: -
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存8,370

NE46134-T1-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 7dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存6,984

NE46134-T1-QR-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 7dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存2,700

NE46134-T1-QS-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 7dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存8,172

NE461M02-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 8.3dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存8,100

NE461M02-T1-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V SOT89

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 8.3dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: SOT-89

庫存2,196

NE461M02-T1-QR-AZ

CEL

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V

制造商: CEL
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益: 8.3dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-243AA
供應商設備包裝: -

庫存7,938

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