晶體管

型號	描述	庫存
MRF544 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 70V 1.5GHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V 頻率-過渡: 1.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13.5dB 功率-最大: 3.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 50mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-39 供應商設備包裝: TO-39	庫存7,794
MRF545 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 70V 1.4GHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V 頻率-過渡: 1GHz ~ 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14dB 功率-最大: 3.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 50mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存8,766
MRF553 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 175MHZ 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11.5dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,964
MRF553G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11dB ~ 13dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Power Macro 供應商設備包裝: Power Macro	庫存4,932
MRF553GT Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11.5dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Power Macro 供應商設備包裝: Power Macro	庫存7,434
MRF553T Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11.5dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Power Macro 供應商設備包裝: Power Macro	庫存7,650
MRF555 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V POWER MACRO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11dB ~ 13dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Power Macro 供應商設備包裝: Power Macro	庫存6,570
MRF555G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 470MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12.5dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,210
MRF555GT Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 470MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12.5dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,372
MRF555T Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V POWER MACRO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 11dB ~ 12.5dB 功率-最大: 3W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Power Macro 供應商設備包裝: Power Macro	庫存3,400
MRF559 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Macro-X 供應商設備包裝: Macro-X	庫存4,936
MRF559G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Micro-X ceramic (84C) 供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)	庫存2,826
MRF559GT Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,526
MRF559T Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,526
MRF581 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Micro-X ceramic (84C) 供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)	庫存22,507
MRF5812 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存6,804
MRF5812G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,870
MRF5812GR1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,186
MRF5812GR2 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,784
MRF5812M Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS NPN 15V 200MA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,258
MRF5812MR1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS NPN 15V 200MA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,352
MRF5812MR2 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS NPN 15V 200MA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,100
MRF5812R1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,552
MRF581A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Micro-X ceramic (84C) 供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)	庫存6,912
MRF581AG Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Macro-X 供應商設備包裝: Macro-X	庫存6,858
MRF581G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 增益: 13dB ~ 15.5dB 功率-最大: 1.25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Micro-X ceramic (84C) 供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)	庫存5,022
MRF586 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 17V 頻率-過渡: 3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13.5dB 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,102
MRF586G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 17V 頻率-過渡: 3GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13.5dB 功率-最大: 1W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,174
MRF8372 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 9.5dB 功率-最大: 2.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,878
MRF8372G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 870MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB ~ 9.5dB 功率-最大: 2.2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,984

MRF544

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 70V 1.5GHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
頻率-過渡: 1.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13.5dB
功率-最大: 3.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 50mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-39
供應商設備包裝: TO-39

庫存7,794

MRF545

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 70V 1.4GHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
頻率-過渡: 1GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14dB
功率-最大: 3.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 50mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存8,766

MRF553

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 175MHZ

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11.5dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,964

MRF553G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11dB ~ 13dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Power Macro
供應商設備包裝: Power Macro

庫存4,932

MRF553GT

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11.5dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Power Macro
供應商設備包裝: Power Macro

庫存7,434

MRF553T

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11.5dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Power Macro
供應商設備包裝: Power Macro

庫存7,650

MRF555

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V POWER MACRO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11dB ~ 13dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Power Macro
供應商設備包裝: Power Macro

庫存6,570

MRF555G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 470MHZ

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 470MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12.5dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,210

MRF555GT

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 470MHZ

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 470MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12.5dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,372

MRF555T

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V POWER MACRO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 11dB ~ 12.5dB
功率-最大: 3W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Power Macro
供應商設備包裝: Power Macro

庫存3,400

MRF559

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Macro-X
供應商設備包裝: Macro-X

庫存4,936

MRF559G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Micro-X ceramic (84C)
供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)

庫存2,826

MRF559GT

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,526

MRF559T

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,526

MRF581

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Micro-X ceramic (84C)
供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)

庫存22,507

MRF5812

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存6,804

MRF5812G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,870

MRF5812GR1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,186

MRF5812GR2

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,784

MRF5812M

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS NPN 15V 200MA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,258

MRF5812MR1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS NPN 15V 200MA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,352

MRF5812MR2

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS NPN 15V 200MA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,100

MRF5812R1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,552

MRF581A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Micro-X ceramic (84C)
供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)

庫存6,912

MRF581AG

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Macro-X
供應商設備包裝: Macro-X

庫存6,858

MRF581G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益: 13dB ~ 15.5dB
功率-最大: 1.25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Micro-X ceramic (84C)
供應商設備包裝: Micro-X ceramic (84C)

庫存5,022

MRF586

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 17V
頻率-過渡: 3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13.5dB
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,102

MRF586G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 17V
頻率-過渡: 3GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13.5dB
功率-最大: 1W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,174

MRF8372

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 9.5dB
功率-最大: 2.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,878

MRF8372G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 870MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB ~ 9.5dB
功率-最大: 2.2W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,984

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