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晶體管

記錄 64,903
頁面 139/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
MS2502W
MS2502W

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,460
MS2506
MS2506

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,580
MS2552
MS2552

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 2NLFL

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 6.7dB
  • 功率-最大: 880W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 24A
  • 工作溫度: 250°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: 2NLFL
  • 供應商設備包裝: 2NLFL
庫存5,310
MS2553C
MS2553C

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 25V 1.15GHZ M220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 25V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 10.5dB
  • 功率-最大: 175W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 500mA, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 4A
  • 工作溫度: 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M220
  • 供應商設備包裝: M220
庫存7,740
MS2554
MS2554

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 6.2dB
  • 功率-最大: 600W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 17.8A
  • 工作溫度: 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M218
  • 供應商設備包裝: M218
庫存5,436
MS2554A
MS2554A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 6.2dB
  • 功率-最大: 600W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 17.8A
  • 工作溫度: 200°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M216
  • 供應商設備包裝: M216
庫存8,280
MS2562
MS2562

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存2,808
MS2563
MS2563

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,762
MS2575A
MS2575A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,076
MS2586
MS2586

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,750
MS2587
MS2587

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,102
MS2588
MS2588

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,150
MS2608
MS2608

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,128
MS2870
MS2870

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,102
MS2874
MS2874

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,204
MS3455
MS3455

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,380
MS3456
MS3456

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF POWER TRANSISTOR

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,618
MS652S
MS652S

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 16V
  • 頻率-過渡: 450MHz ~ 512MHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 10dB
  • 功率-最大: 25W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 10 @ 200mA, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 2A
  • 工作溫度: 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M123
  • 供應商設備包裝: M123
庫存7,668
MSC1090M
MSC1090M

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS 65V 1.15GHZ M220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 8.4dB
  • 功率-最大: 220W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 500mA, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 5.52A
  • 工作溫度: 200°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M220
  • 供應商設備包裝: M220
庫存7,542
MSC1175M
MSC1175M

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 8dB
  • 功率-最大: 400W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 12A
  • 工作溫度: 250°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M218
  • 供應商設備包裝: M218
庫存8,874
MSC1175MA
MSC1175MA

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 8dB
  • 功率-最大: 400W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 12A
  • 工作溫度: 250°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M218
  • 供應商設備包裝: M218
庫存7,686
MSC1350M
MSC1350M

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 7dB ~ 7.1dB
  • 功率-最大: 720W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 19.8A
  • 工作溫度: 200°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M218
  • 供應商設備包裝: M218
庫存4,680
MSC1400M
MSC1400M

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 6.5dB
  • 功率-最大: 1000W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 28A
  • 工作溫度: 250°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M216
  • 供應商設備包裝: M216
庫存8,874
MSC1450A
MSC1450A

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS 65V M216

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: -
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 7dB
  • 功率-最大: 910W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 28A
  • 工作溫度: 250°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M216
  • 供應商設備包裝: M216
庫存4,050
MSC1450M
MSC1450M

Microsemi

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 65V
  • 頻率-過渡: 1.09GHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: 7dB
  • 功率-最大: 910W
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 1A, 5V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 28A
  • 工作溫度: 250°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: M216
  • 供應商設備包裝: M216
庫存4,662
MSC2295-BT1G
MSC2295-BT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 1mA, 10V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存2,466
MSC2295-CT1
MSC2295-CT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 110 @ 1mA, 10V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存2,322
MSC2295-CT1G
MSC2295-CT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 110 @ 1mA, 10V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: SC-59
庫存2,106
MSC3930-BT1
MSC3930-BT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 1mA, 10V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存4,446
MSC3930-BT1G
MSC3930-BT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-RF

RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 噪聲系數(dB Typ @ f): -
  • 增益: -
  • 功率-最大: 200mW
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 70 @ 1mA, 10V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30mA
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存3,528