晶體管

型號	描述	庫存
MS1337 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 70W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M113 供應商設備包裝: M113	庫存2,100
MS1402 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 450MHz ~ 512MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 750mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M122 供應商設備包裝: M122	庫存7,200
MS1406 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.2dB 功率-最大: 30W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: M135 供應商設備包裝: M135	庫存8,262
MS1409 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 175MHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 175MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 7W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存2,376
MS1509 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 33V 500MHZ M168 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 33V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 5.5dBi 功率-最大: 260W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M168 供應商設備包裝: M168	庫存7,956
MS1512 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ M122 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 19.4W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis, Stud Mount 包裝/箱: M122 供應商設備包裝: M122	庫存2,538
MS1579 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ M156 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB 功率-最大: 65W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 20V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.2A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M156 供應商設備包裝: M156	庫存6,030
MS1582 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 860MHZ M173 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 135W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M173 供應商設備包裝: M173	庫存8,766
MS1612 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,176
MS1649 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V 頻率-過渡: 470MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 7.8W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存6,462
MS1701 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,030
MS1801 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,670
MS2091H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,204
MS2092H Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,650
MS2200 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 400MHz ~ 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.7dB 功率-最大: 1167W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 43.2A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M102 供應商設備包裝: M102	庫存6,534
MS2200A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,726
MS2201 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M220 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 10W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 0.95 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M220 供應商設備包裝: M220	庫存6,966
MS2202 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 3.5V 1.15GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3.5V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 10W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存5,832
MS2203 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M220 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10.8dB ~ 12.3dB 功率-最大: 5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M220 供應商設備包裝: M220	庫存7,272
MS2204 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10.8dB 功率-最大: 600mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存4,104
MS2205 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M105 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 21.9W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M105 供應商設備包裝: M105	庫存7,182
MS2206 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 7.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M115 供應商設備包裝: M115	庫存3,708
MS2206A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,560
MS2207 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8dB 功率-最大: 880W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 工作溫度: 250°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M216 供應商設備包裝: M216	庫存141,639
MS2209 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 225MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.4dB 功率-最大: 220W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 2A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M218 供應商設備包裝: M218	庫存4,824
MS2210 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB 功率-最大: 940W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M216 供應商設備包裝: M216	庫存7,524
MS2210A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF POWER TRANSISTOR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,734
MS2211 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 48V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.3dB 功率-最大: 25W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 900mA 工作溫度: 250°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M222 供應商設備包裝: M222	庫存7,632
MS2212 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.1dB ~ 8.9dB 功率-最大: 50W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.8A 工作溫度: 250°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M222 供應商設備包裝: M222	庫存6,732
MS2213 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.8dB 功率-最大: 75W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.5A 工作溫度: 250°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: M214 供應商設備包裝: M214	庫存5,292

MS1337

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 70W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M113
供應商設備包裝: M113

庫存2,100

MS1402

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 450MHz ~ 512MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 750mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M122
供應商設備包裝: M122

庫存7,200

MS1406

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.2dB
功率-最大: 30W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 200mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: M135
供應商設備包裝: M135

庫存8,262

MS1409

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 175MHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 175MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 7W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存2,376

MS1509

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 33V 500MHZ M168

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 33V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 5.5dBi
功率-最大: 260W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M168
供應商設備包裝: M168

庫存7,956

MS1512

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ M122

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 19.4W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis, Stud Mount
包裝/箱: M122
供應商設備包裝: M122

庫存2,538

MS1579

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 860MHZ M156

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB
功率-最大: 65W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 20V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.2A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M156
供應商設備包裝: M156

庫存6,030

MS1582

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 860MHZ M173

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 470MHz ~ 860MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 135W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 3A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M173
供應商設備包裝: M173

庫存8,766

MS1612

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,176

MS1649

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 16V 470MHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 16V
頻率-過渡: 470MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 7.8W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存6,462

MS1701

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,030

MS1801

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,670

MS2091H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,204

MS2092H

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,650

MS2200

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 400MHz ~ 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.7dB
功率-最大: 1167W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 43.2A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M102
供應商設備包裝: M102

庫存6,534

MS2200A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,726

MS2201

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M220

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 10W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 0.95 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M220
供應商設備包裝: M220

庫存6,966

MS2202

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 3.5V 1.15GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3.5V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 10W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 250mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存5,832

MS2203

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M220

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10.8dB ~ 12.3dB
功率-最大: 5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M220
供應商設備包裝: M220

庫存7,272

MS2204

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10.8dB
功率-最大: 600mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存4,104

MS2205

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M105

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 21.9W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M105
供應商設備包裝: M105

庫存7,182

MS2206

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 7.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M115
供應商設備包裝: M115

庫存3,708

MS2206A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,560

MS2207

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8dB
功率-最大: 880W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
工作溫度: 250°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M216
供應商設備包裝: M216

庫存141,639

MS2209

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 225MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.4dB
功率-最大: 220W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 2A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 7A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M218
供應商設備包裝: M218

庫存4,824

MS2210

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB
功率-最大: 940W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M216
供應商設備包裝: M216

庫存7,524

MS2210A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF POWER TRANSISTOR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,734

MS2211

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 48V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.3dB
功率-最大: 25W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 900mA
工作溫度: 250°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M222
供應商設備包裝: M222

庫存7,632

MS2212

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.1dB ~ 8.9dB
功率-最大: 50W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.8A
工作溫度: 250°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M222
供應商設備包裝: M222

庫存6,732

MS2213

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.8dB
功率-最大: 75W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.5A
工作溫度: 250°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: M214
供應商設備包裝: M214

庫存5,292

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message