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晶體管

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型號
描述
庫存
數量
APT30GP60LDLG
APT30GP60LDLG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 463W TO264

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 120A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 30A
  • 功率-最大: 463W
  • 開關能量: 260µJ (on), 250µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 90nC
  • 25°C時的Td(開/關): 13ns/55ns
  • 測試條件: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
  • 供應商設備包裝: TO-264
庫存4,554
APT30GS60BRDLG
APT30GS60BRDLG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 54A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 113A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.15V @ 15V, 30A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 570µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 145nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/360ns
  • 測試條件: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247
庫存3,600
APT30GS60BRDQ2G
APT30GS60BRDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 250W SOT227

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 54A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 113A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.15V @ 15V, 30A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 570µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 145nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/360ns
  • 測試條件: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 25ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存8,406
APT30GS60KRG
APT30GS60KRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 54A 250W TO220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 54A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 113A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.15V @ 15V, 30A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 570µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 145nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/360ns
  • 測試條件: 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220
庫存7,884
APT30GT60BRDQ2G
APT30GT60BRDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 64A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 64A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 110A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 30A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 80µJ (on), 605µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 7.5nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/225ns
  • 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 22ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存6,648
APT30GT60BRG
APT30GT60BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 64A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 64A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 110A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 30A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 525µJ (on), 600µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 145nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/225ns
  • 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存886
APT30GT60KRG
APT30GT60KRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 64A 250W TO220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 64A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 110A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 30A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 525µJ (on), 600µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 145nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/225ns
  • 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220 [K]
庫存4,446
APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 64A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 75A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 25A
  • 功率-最大: 357W
  • 開關能量: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 170nC
  • 25°C時的Td(開/關): 14ns/185ns
  • 測試條件: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,284
APT33GF120BRG
APT33GF120BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 52A 297W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 52A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 104A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 25A
  • 功率-最大: 297W
  • 開關能量: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 170nC
  • 25°C時的Td(開/關): 25ns/210ns
  • 測試條件: -
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存819
APT33GF120LRDQ2G
APT33GF120LRDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 64A 357W TO264

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 64A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 75A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 25A
  • 功率-最大: 357W
  • 開關能量: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 170nC
  • 25°C時的Td(開/關): 14ns/185ns
  • 測試條件: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
  • 供應商設備包裝: TO-264 [L]
庫存5,724
APT35GA90B
APT35GA90B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 63A 290W TO-247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 8™
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 63A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 105A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.1V @ 15V, 18A
  • 功率-最大: 290W
  • 開關能量: 642µJ (on), 382µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 84nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/104ns
  • 測試條件: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存8,352
APT35GA90BD15
APT35GA90BD15

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 63A 290W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 63A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 105A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.1V @ 15V, 18A
  • 功率-最大: 290W
  • 開關能量: 642µJ (on), 382µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 84nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/104ns
  • 測試條件: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存6,012
APT35GN120BG
APT35GN120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 94A 379W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 94A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 105A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • 功率-最大: 379W
  • 開關能量: 2.315mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 220nC
  • 25°C時的Td(開/關): 24ns/300ns
  • 測試條件: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存4,536
APT35GN120L2DQ2G
APT35GN120L2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 94A 379W TO264

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 94A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 105A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • 功率-最大: 379W
  • 開關能量: 2.315mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 220nC
  • 25°C時的Td(開/關): 24ns/300ns
  • 測試條件: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,784
APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 96A 543W TMAX

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 96A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 140A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 35A
  • 功率-最大: 543W
  • 開關能量: 750µJ (on), 680µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 150nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/95ns
  • 測試條件: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存98
APT35GP120BG
APT35GP120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 96A 543W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 96A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 140A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 35A
  • 功率-最大: 543W
  • 開關能量: 750µJ (on), 680µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 150nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/94ns
  • 測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存403
APT36GA60B
APT36GA60B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 65A 290W TO-247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 8™
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 65A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 109A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 290W
  • 開關能量: 307µJ (on), 254µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 102nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/122ns
  • 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存379
APT36GA60BD15
APT36GA60BD15

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 65A 290W TO-247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 8™
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 65A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 109A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 290W
  • 開關能量: 307µJ (on), 254µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 18nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/122ns
  • 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存8,586
APT40GP60B2DQ2G
APT40GP60B2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 543W TMAX

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 543W
  • 開關能量: 385µJ (on), 350µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 135nC
  • 25°C時的Td(開/關): 20ns/64ns
  • 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,210
APT40GP60BG
APT40GP60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 543W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 543W
  • 開關能量: 385µJ (on), 352µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 135nC
  • 25°C時的Td(開/關): 20ns/64ns
  • 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存517
APT40GP60SG
APT40GP60SG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 543W D3PAK

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 543W
  • 開關能量: 385µJ (on), 352µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 135nC
  • 25°C時的Td(開/關): 20ns/64ns
  • 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 供應商設備包裝: D3 [S]
庫存2,592
APT40GP90B2DQ2G
APT40GP90B2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 101A 543W TMAX

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 101A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 543W
  • 開關能量: 795µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 145nC
  • 25°C時的Td(開/關): 14ns/90ns
  • 測試條件: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存7,200
APT40GP90BG
APT40GP90BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 100A 543W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 543W
  • 開關能量: 825µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 145nC
  • 25°C時的Td(開/關): 16ns/75ns
  • 測試條件: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存6,282
APT40GR120B
APT40GR120B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 88A 500W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 88A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 500W
  • 開關能量: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 210nC
  • 25°C時的Td(開/關): 22ns/163ns
  • 測試條件: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247-3
庫存8,478
APT40GR120B2D30
APT40GR120B2D30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 88A 500W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 88A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 500W
  • 開關能量: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 210nC
  • 25°C時的Td(開/關): 22ns/163ns
  • 測試條件: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247-3
庫存7,380
APT40GR120B2SCD10
APT40GR120B2SCD10

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 88A 500W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 88A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 500W
  • 開關能量: 929µJ (on), 1070µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 210nC
  • 25°C時的Td(開/關): 20ns/166ns
  • 測試條件: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247
庫存3,528
APT40GR120S
APT40GR120S

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 88A 500W D3PAK

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 88A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 500W
  • 開關能量: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 210nC
  • 25°C時的Td(開/關): 22ns/163ns
  • 測試條件: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供應商設備包裝: D3Pak
庫存8,640
APT40GT60BRG
APT40GT60BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 345W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 160A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 345W
  • 開關能量: 828µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 200nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/124ns
  • 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存13,164
APT43GA90B
APT43GA90B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 78A 337W TO-247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 8™
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 78A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 129A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.1V @ 15V, 25A
  • 功率-最大: 337W
  • 開關能量: 875µJ (on), 425µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 116nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/82ns
  • 測試條件: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存314
APT43GA90BD30
APT43GA90BD30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 78A 337W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 78A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 129A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.1V @ 15V, 47A
  • 功率-最大: 337W
  • 開關能量: 875µJ (on), 425µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 116nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/82ns
  • 測試條件: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存6,192