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晶體管

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頁面 2029/2164
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型號
描述
庫存
數量
AOTF20B65M2
AOTF20B65M2

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 20A TO220

  • 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 系列: Alpha IGBT™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 650V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.15V @ 15V, 20A
  • 功率-最大: 45W
  • 開關能量: 580µJ (on), 280µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 46nC
  • 25°C時的Td(開/關): 26ns/123ns
  • 測試條件: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 292ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220
庫存16,308
AOTF5B60D
AOTF5B60D

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 10A 31.2W TO220F

  • 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 系列: Alpha IGBT™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 14A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 20A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.8V @ 15V, 5A
  • 功率-最大: 31.2W
  • 開關能量: 140µJ (on), 40µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 9.4nC
  • 25°C時的Td(開/關): 12ns/83ns
  • 測試條件: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 98ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
  • 供應商設備包裝: TO-220-3F
庫存6,498
AOTF5B65M1
AOTF5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 5A TO220

  • 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 系列: Alpha IGBT™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 650V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 10A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 15A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.98V @ 15V, 5A
  • 功率-最大: 25W
  • 開關能量: 80µJ (on), 70µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 14nC
  • 25°C時的Td(開/關): 8.5ns/106ns
  • 測試條件: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): 195ns
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220
庫存19,752
AOTS40B65H1
AOTS40B65H1

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 40A TO220

  • 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 系列: Alpha IGBT™
  • IGBT類型: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 650V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 80A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 120A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • 功率-最大: 300W
  • 開關能量: 1.27mJ (on), 460µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 63nC
  • 25°C時的Td(開/關): 41ns/130ns
  • 測試條件: 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220
庫存18,216
APT100GN120B2G
APT100GN120B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 245A 960W TMAX

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 245A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 300A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • 功率-最大: 960W
  • 開關能量: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 540nC
  • 25°C時的Td(開/關): 50ns/615ns
  • 測試條件: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存22
APT100GN60B2G
APT100GN60B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 229A 625W TMAX

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 229A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 300A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.85V @ 15V, 100A
  • 功率-最大: 625W
  • 開關能量: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 600nC
  • 25°C時的Td(開/關): 31ns/310ns
  • 測試條件: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存42
APT100GN60LDQ4G
APT100GN60LDQ4G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 229A 625W TO264

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 229A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 300A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.85V @ 15V, 100A
  • 功率-最大: 625W
  • 開關能量: 4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 600nC
  • 25°C時的Td(開/關): 31ns/310ns
  • 測試條件: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
  • 供應商設備包裝: TO-264 [L]
庫存7,902
APT100GT60B2RG
APT100GT60B2RG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 148A 500W SOT247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 148A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 300A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 100A
  • 功率-最大: 500W
  • 開關能量: 3.25mJ (on), 3.125mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 460nC
  • 25°C時的Td(開/關): 40ns/320ns
  • 測試條件: 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,500
APT102GA60B2
APT102GA60B2

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 183A 780W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 8™
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 183A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 307A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 62A
  • 功率-最大: 780W
  • 開關能量: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 294nC
  • 25°C時的Td(開/關): 28ns/212ns
  • 測試條件: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存305
APT102GA60L
APT102GA60L

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 183A 780W TO264

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 183A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 307A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 62A
  • 功率-最大: 780W
  • 開關能量: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 294nC
  • 25°C時的Td(開/關): 28ns/212ns
  • 測試條件: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
  • 供應商設備包裝: TO-264 [L]
庫存20
APT11GF120BRDQ1G
APT11GF120BRDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 25A 156W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 24A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 8A
  • 功率-最大: 156W
  • 開關能量: 300µJ (on), 285µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 65nC
  • 25°C時的Td(開/關): 7ns/100ns
  • 測試條件: 800V, 8A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存3,582
APT11GF120KRG
APT11GF120KRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 25A 156W TO220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 44A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 8A
  • 功率-最大: 156W
  • 開關能量: 300µJ (on), 285µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 65nC
  • 25°C時的Td(開/關): 7ns/100ns
  • 測試條件: 800V, 8A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220 [K]
庫存6,408
APT11GP60BDQBG
APT11GP60BDQBG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 41A 187W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 41A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 45A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 11A
  • 功率-最大: 187W
  • 開關能量: 46µJ (on), 90µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 40nC
  • 25°C時的Td(開/關): 7ns/29ns
  • 測試條件: 400V, 11A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247-3
庫存3,564
APT13GP120BDQ1G
APT13GP120BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 41A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 41A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 50A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 13A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 115µJ (on), 165µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 9ns/28ns
  • 測試條件: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存7,732
APT13GP120BG
APT13GP120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 41A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 41A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 50A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 13A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 115µJ (on), 165µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 9ns/28ns
  • 測試條件: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存1,020
APT13GP120KG
APT13GP120KG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 41A 250W TO220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 41A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 50A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 13A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 114µJ (on), 165µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 9ns/28ns
  • 測試條件: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220 [K]
庫存5,418
APT150GN60B2G
APT150GN60B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 220A 536W SOT227

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 220A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 450A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.85V @ 15V, 150A
  • 功率-最大: 536W
  • 開關能量: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 970nC
  • 25°C時的Td(開/關): 44ns/430ns
  • 測試條件: 400V, 150A, 1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3 Variant
  • 供應商設備包裝: -
庫存860
APT150GN60LDQ4G
APT150GN60LDQ4G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 220A 536W TO-264L

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 220A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 450A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 1.85V @ 15V, 150A
  • 功率-最大: 536W
  • 開關能量: 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 970nC
  • 25°C時的Td(開/關): 44ns/430ns
  • 測試條件: 400V, 150A, 1Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
  • 供應商設備包裝: TO-264 [L]
庫存8,784
APT15GN120BDQ1G
APT15GN120BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 45A 195W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 45A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 45A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 195W
  • 開關能量: 410µJ (on), 950µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 90nC
  • 25°C時的Td(開/關): 10ns/150ns
  • 測試條件: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存16
APT15GN120KG
APT15GN120KG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 45A 195W TO220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 45A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 45A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.1V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 195W
  • 開關能量: 410µJ (on), 950µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 90nC
  • 25°C時的Td(開/關): 10ns/150ns
  • 測試條件: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220 [K]
庫存5,940
APT15GP60BDLG
APT15GP60BDLG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 56A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: -
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 56A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 65A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 130µJ (on), 121µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 8ns/29ns
  • 測試條件: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247
庫存3,420
APT15GP60BDQ1G
APT15GP60BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 56A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 56A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 65A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 130µJ (on), 120µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 8ns/29ns
  • 測試條件: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存6,120
APT15GP60BG
APT15GP60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 56A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 56A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 65A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 130µJ (on), 121µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 8ns/29ns
  • 測試條件: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存8,388
APT15GP60KG
APT15GP60KG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 56A 250W TO220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 56A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 65A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.7V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 130µJ (on), 121µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 55nC
  • 25°C時的Td(開/關): 8ns/29ns
  • 測試條件: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220 [K]
庫存4,140
APT15GP90BDQ1G
APT15GP90BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 43A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 43A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 200µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 60nC
  • 25°C時的Td(開/關): 9ns/33ns
  • 測試條件: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存3,798
APT15GP90BG
APT15GP90BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 43A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 43A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 200µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 60nC
  • 25°C時的Td(開/關): 9ns/33ns
  • 測試條件: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存2,088
APT15GP90KG
APT15GP90KG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 43A 250W TO220

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: POWER MOS 7®
  • IGBT類型: PT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 900V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 43A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 60A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 200µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 60nC
  • 25°C時的Td(開/關): 9ns/33ns
  • 測試條件: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-220-3
  • 供應商設備包裝: TO-220 [K]
庫存6,282
APT15GT120BRDQ1G
APT15GT120BRDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 36A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 36A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 45A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.6V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 585µJ (on), 260µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 105nC
  • 25°C時的Td(開/關): 10ns/85ns
  • 測試條件: 800V, 15A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存2,772
APT15GT120BRG
APT15GT120BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 36A 250W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 36A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 45A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.6V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 250W
  • 開關能量: 585µJ (on), 260µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 105nC
  • 25°C時的Td(開/關): 10ns/85ns
  • 測試條件: 800V, 15A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存4,086
APT15GT60BRDQ1G
APT15GT60BRDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 42A 184W TO247

  • 制造商: Microsemi Corporation
  • 系列: Thunderbolt IGBT®
  • IGBT類型: NPT
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 42A
  • 電流-集電極脈沖(Icm): 45A
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.5V @ 15V, 15A
  • 功率-最大: 184W
  • 開關能量: 150µJ (on), 215µJ (off)
  • 輸入類型: Standard
  • 門禁費用: 75nC
  • 25°C時的Td(開/關): 6ns/105ns
  • 測試條件: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • 反向恢復時間(trr): -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Through Hole
  • 包裝/箱: TO-247-3
  • 供應商設備包裝: TO-247 [B]
庫存6,966