晶體管

APT54GA60BD30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 96A 416W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 96A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 161A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 32A
• 功率-最大: 416W
• 開關能量: 534µJ (on), 466µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 28nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/112ns
• 測試條件: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT60GT60BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 500W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 3.4mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 275nC
• 25°C時的Td（開/關）: 26ns/395ns
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT64GA90B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 117A 500W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 117A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 193A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 38A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 1857µJ (on), 2311µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 162nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/131ns
• 測試條件: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT64GA90B2D30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 117A 500W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 117A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 193A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 38A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 1192µJ (on), 1088µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 162nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/131ns
• 測試條件: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT64GA90LD30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 117A 500W TO-264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 117A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 193A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 38A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 1192µJ (on), 1088µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 162nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/131ns
• 測試條件: 600V, 38A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264 [L]

加入購物車更新到購物車

APT65GP60B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 833W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 250A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 65A
• 功率-最大: 833W
• 開關能量: 605µJ (on), 896µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/91ns
• 測試條件: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT65GP60L2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 198A 833W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 198A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 250A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 65A
• 功率-最大: 833W
• 開關能量: 605µJ (on), 895µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/90ns
• 測試條件: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT68GA60B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 121A 520W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 121A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 202A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 520W
• 開關能量: 715µJ (on), 607µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 298nC
• 25°C時的Td（開/關）: 21ns/133ns
• 測試條件: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT68GA60B2D40

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 121A 520W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 121A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 202A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 520W
• 開關能量: 715µJ (on), 607µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 198nC
• 25°C時的Td（開/關）: 21ns/133ns
• 測試條件: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT68GA60LD40

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 121A 520W TO-264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 121A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 202A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 520W
• 開關能量: 715µJ (on), 607µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 198nC
• 25°C時的Td（開/關）: 21ns/133ns
• 測試條件: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 22ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264 [L]

加入購物車更新到購物車

APT70GR120B2

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 160A 961W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 961W
• 開關能量: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 544nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/278ns
• 測試條件: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

加入購物車更新到購物車

APT70GR120L

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 160A 961W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 961W
• 開關能量: 3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 544nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/278ns
• 測試條件: 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

加入購物車更新到購物車

APT70GR65B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 134A 595W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 260A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 595W
• 開關能量: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 305nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/170ns
• 測試條件: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

加入購物車更新到購物車

APT70GR65B2DU40

Microsemi

晶體管-IGBT-單

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 595W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 305nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/170ns
• 測試條件: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]

加入購物車更新到購物車

APT70GR65B2SCD30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 260A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 595W
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: 305nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/170ns
• 測試條件: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]

加入購物車更新到購物車

APT75GN120B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 200A 833W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 833W
• 開關能量: 8045µJ (on), 7640µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 425nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/620ns
• 測試條件: 800V, 75A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT75GN120LG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 200A 833W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 833W
• 開關能量: 8620µJ (on), 11400µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 425nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/620ns
• 測試條件: 800V, 75A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264 [L]

加入購物車更新到購物車

APT75GN60B2DQ3G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 155A 536W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 155A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 536W
• 開關能量: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 485nC
• 25°C時的Td（開/關）: 47ns/385ns
• 測試條件: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT75GN60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 155A 536W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 155A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 536W
• 開關能量: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 485nC
• 25°C時的Td（開/關）: 47ns/385ns
• 測試條件: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT75GN60LDQ3G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 155A 536W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 155A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 536W
• 開關能量: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 485nC
• 25°C時的Td（開/關）: 47ns/385ns
• 測試條件: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264 [L]

加入購物車更新到購物車

APT75GP120B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 1042W
• 開關能量: 1620µJ (on), 2500µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 320nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/163ns
• 測試條件: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT80GA60B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 143A 625W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 143A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 47A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 840µJ (on), 751µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 230nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/158ns
• 測試條件: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT80GA60LD40

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 143A 625W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 143A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 47A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 840µJ (on), 751µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 230nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/158ns
• 測試條件: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 22ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

加入購物車更新到購物車

APT80GA90B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 145A 625W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 145A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 239A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 47A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 200nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/149ns
• 測試條件: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT80GA90LD40

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 145A 625W TO-264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 145A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 239A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 47A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 200nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/149ns
• 測試條件: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

加入購物車更新到購物車

APT85GR120B2

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 170A 962W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 340A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 85A
• 功率-最大: 962W
• 開關能量: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 660nC
• 25°C時的Td（開/關）: 43ns/300ns
• 測試條件: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: T-MAX™

加入購物車更新到購物車

APT85GR120L

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 170A 962W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 170A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 340A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 85A
• 功率-最大: 962W
• 開關能量: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 660nC
• 25°C時的Td（開/關）: 43ns/300ns
• 測試條件: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

加入購物車更新到購物車

APT95GR65B2

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 208A 892W T-MAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 208A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 400A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 95A
• 功率-最大: 892W
• 開關能量: 3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 420nC
• 25°C時的Td（開/關）: 29ns/226ns
• 測試條件: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]

加入購物車更新到購物車

APT95GR65JDU60

Microsemi

晶體管-IGBT-單

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 380A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 95A
• 功率-最大: 446W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 420nC
• 25°C時的Td（開/關）: 29ns/226ns
• 測試條件: 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: SOT-227

加入購物車更新到購物車

AUIRG4BC30S-S

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 34A 100W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 34A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 68A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 18A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 50nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/540ns
• 測試條件: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

加入購物車更新到購物車