晶體管

APT15GT60BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 42A 184W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 42A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 184W
• 開關能量: 150µJ (on), 215µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 75nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/105ns
• 測試條件: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT15GT60KRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 42A 184W TO220

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 42A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 184W
• 開關能量: 150µJ (on), 215µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 75nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/105ns
• 測試條件: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220 [K]

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APT200GN60B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 283A 682W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 283A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 600A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 200A
• 功率-最大: 682W
• 開關能量: 13mJ (on), 11mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 1180nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/560ns
• 測試條件: 400V, 200A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: -

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APT20GF120BRDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 36A 200W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 36A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 64A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 895µJ (on), 840µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 10ns/120ns
• 測試條件: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT20GF120BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 32A 200W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 64A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 2.7mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 95nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/105ns
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT20GN60BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 136W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 136W
• 開關能量: 230µJ (on), 580µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: 9ns/140ns
• 測試條件: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT20GN60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 136W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 136W
• 開關能量: 230µJ (on), 580µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: 9ns/140ns
• 測試條件: 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT20GT60BRDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 43A 174W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 174W
• 開關能量: 215µJ (on), 245µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 8ns/80ns
• 測試條件: 400V, 20A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT20GT60BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 43A 174W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 43A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 174W
• 開關能量: 215µJ (on), 245µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 8ns/80ns
• 測試條件: 400V, 20A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT25GN120B2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 67A 272W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 67A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 272W
• 開關能量: 2.15µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 155nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/280ns
• 測試條件: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

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APT25GN120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 67A 272W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 67A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 272W
• 開關能量: 2.15µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 155nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/280ns
• 測試條件: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT25GN120SG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 67A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 272W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 155nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/280ns
• 測試條件: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: D3Pak

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APT25GP120BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 69A 417W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 69A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: 500µJ (on), 440µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/70ns
• 測試條件: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT25GP120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 69A 417W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 69A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: 500µJ (on), 438µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/70ns
• 測試條件: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT25GP90BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 72A 417W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 72A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 110A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: 370µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/55ns
• 測試條件: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT25GP90BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 72A 417W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 72A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 110A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: 370µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/55ns
• 測試條件: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT25GR120B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A 521W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 521W
• 開關能量: 742µJ (on), 427µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/122ns
• 測試條件: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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APT25GR120BD15

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A 521W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 521W
• 開關能量: 742µJ (on), 427µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/122ns
• 測試條件: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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APT25GR120BSCD10

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A 521W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 521W
• 開關能量: 434µJ (on), 466µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/122ns
• 測試條件: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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APT25GR120S

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 521W
• 開關能量: 742µJ (on), 427µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/122ns
• 測試條件: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: D3Pak

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APT25GR120SD15

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 521W
• 開關能量: 742µJ (on), 427µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/122ns
• 測試條件: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: D3Pak

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APT25GR120SSCD10

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 521W
• 開關能量: 434µJ (on), 466µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/122ns
• 測試條件: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: D3Pak

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APT25GT120BRDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 54A 347W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 347W
• 開關能量: 930µJ (on), 720µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 170nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14ns/150ns
• 測試條件: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT25GT120BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 54A 347W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 54A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 347W
• 開關能量: 930µJ (on), 720µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 170nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14ns/150ns
• 測試條件: 800V, 25A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT27GA90BD15

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 48A 223W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 79A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 14A
• 功率-最大: 223W
• 開關能量: 413µJ (on), 287µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 62nC
• 25°C時的Td（開/關）: 9ns/98ns
• 測試條件: 600V, 14A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT30GN60BDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 63A 203W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 203W
• 開關能量: 525µJ (on), 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 165nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/155ns
• 測試條件: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT30GN60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 63A 203W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 63A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 203W
• 開關能量: 525µJ (on), 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 165nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/155ns
• 測試條件: 400V, 30A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT30GP60B2DLG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 463W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 463W
• 開關能量: 260µJ (on), 250µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 90nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/55ns
• 測試條件: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: T-MAX™

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APT30GP60BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 463W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 463W
• 開關能量: 260µJ (on), 250µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 90nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/55ns
• 測試條件: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT30GP60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 463W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 463W
• 開關能量: 260µJ (on), 250µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 90nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/55ns
• 測試條件: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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