晶體管

APT44GA60B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 78A 337W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 26A
• 功率-最大: 337W
• 開關能量: 409µJ (on), 258µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 128nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/84ns
• 測試條件: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT44GA60BD30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 78A 337W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 26A
• 功率-最大: 337W
• 開關能量: 409µJ (on), 258µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 128nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/84ns
• 測試條件: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT44GA60BD30C

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 78A 337W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 26A
• 功率-最大: 337W
• 開關能量: 409µJ (on), 450µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 128nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/102ns
• 測試條件: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT45GP120B2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 113A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 170A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 45A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 900µJ (on), 905µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 185nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/100ns
• 測試條件: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT45GP120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A 625W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 170A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 45A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 900µJ (on), 904µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 185nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/102ns
• 測試條件: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT45GR65B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 92A 357W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 92A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 168A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A
• 功率-最大: 357W
• 開關能量: 900µJ (on), 580µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/100ns
• 測試條件: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

加入購物車更新到購物車

APT45GR65B2DU30

Microsemi

晶體管-IGBT-單

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 118A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 224A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A
• 功率-最大: 543W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/100ns
• 測試條件: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 80ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: T-MAX™ [B2]

加入購物車更新到購物車

APT45GR65BSCD10

Microsemi

晶體管-IGBT-單

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 118A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 224A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A
• 功率-最大: 543W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/100ns
• 測試條件: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 80ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

加入購物車更新到購物車

APT45GR65SSCD10

Microsemi

晶體管-IGBT-單

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 118A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 224A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A
• 功率-最大: 543W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 203nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/100ns
• 測試條件: 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 80ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D3Pak

加入購物車更新到購物車

APT50GF120B2RG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 135A 781W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 781W
• 開關能量: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 340nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25ns/260ns
• 測試條件: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT50GF120LRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 135A 781W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 135A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 781W
• 開關能量: 3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 340nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25ns/260ns
• 測試條件: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264 [L]

加入購物車更新到購物車

APT50GN120B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 134A 543W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 543W
• 開關能量: 4495µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 315nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/320ns
• 測試條件: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT50GN120L2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 134A 543W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT, Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 134A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 543W
• 開關能量: 4495µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 315nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/320ns
• 測試條件: 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT50GN60BDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 107A 366W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 107A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 366W
• 開關能量: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 325nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/230ns
• 測試條件: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT50GN60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 107A 366W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 107A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 366W
• 開關能量: 1185µJ (on), 1565µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 325nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/230ns
• 測試條件: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 150A 625W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 190A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 465µJ (on), 635µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 165nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/85ns
• 測試條件: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT50GP60BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 625W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 190A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 465µJ (on), 637µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 165nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/83ns
• 測試條件: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT50GP60LDLG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 150A 625W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 190A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 456µJ (on), 635µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 165nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/85ns
• 測試條件: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

加入購物車更新到購物車

APT50GR120B2

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 117A 694W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 117A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 694W
• 開關能量: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 445nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/237ns
• 測試條件: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

加入購物車更新到購物車

APT50GR120L

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 117A 694W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 117A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 694W
• 開關能量: 2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 445nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/237ns
• 測試條件: 600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

加入購物車更新到購物車

APT50GS60BRDLG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 93A 415W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 195A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 415W
• 開關能量: 755µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 235nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/225ns
• 測試條件: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

加入購物車更新到購物車

APT50GS60BRDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 93A 415W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 195A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 415W
• 開關能量: 755µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 235nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/225ns
• 測試條件: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT50GS60BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 93A 415W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 93A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 195A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.15V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 415W
• 開關能量: 755µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 235nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/225ns
• 測試條件: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT50GT120B2RDLG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 106A 694W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 106A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 694W
• 開關能量: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 240nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/215ns
• 測試條件: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT50GT120B2RDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 94A 625W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 94A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 2330µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 340nC
• 25°C時的Td（開/關）: 24ns/230ns
• 測試條件: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT50GT120B2RG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 94A 625W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 94A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 2330µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 340nC
• 25°C時的Td（開/關）: 24ns/230ns
• 測試條件: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

APT50GT120LRDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 106A 694W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 106A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 694W
• 開關能量: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 240nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/215ns
• 測試條件: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264 [L]

加入購物車更新到購物車

APT50GT60BRDQ2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 110A 446W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 446W
• 開關能量: 995µJ (on), 1070µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 240nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14ns/240ns
• 測試條件: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 22ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT50GT60BRG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 110A 446W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Thunderbolt IGBT®
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 446W
• 開關能量: 995µJ (on), 1070µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 240nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14ns/240ns
• 測試條件: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車

APT54GA60B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 96A 416W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 96A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 161A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 32A
• 功率-最大: 416W
• 開關能量: 534µJ (on), 466µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 158nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/112ns
• 測試條件: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

加入購物車更新到購物車