晶體管

STGB7NB60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 80W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 80W
• 開關能量: 140µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 32.7nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/50ns
• 測試條件: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB7NC60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 25A 80W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 50A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 80W
• 開關能量: 95µJ (on), 115µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 35nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18.5ns/72ns
• 測試條件: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 37ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB7NC60HT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 25A 80W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 50A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 80W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 35nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18.5ns/72ns
• 測試條件: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 37ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB8NC60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 15A 65W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.75V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 65W
• 開關能量: 55µJ (on), 85µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/72ns
• 測試條件: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 23.5ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB8NC60KT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 15A 65W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.75V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 65W
• 開關能量: 55µJ (on), 85µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/72ns
• 測試條件: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGBL6NC60DIT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 56W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 56W
• 開關能量: 32µJ (on), 24µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 12nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6.7ns/46ns
• 測試條件: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 23ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGBL6NC60DT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 56W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 56W
• 開關能量: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 12nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6.7ns/46ns
• 測試條件: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGD10HF60KD

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 10A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.75V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 62.5W
• 開關能量: 45µJ (on), 105µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: 9.5ns/87ns
• 測試條件: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 50ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD10NC60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 62W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 62W
• 開關能量: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19.2nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14.2ns/72ns
• 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 22ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 60W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19.2nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14.2ns/72ns
• 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD10NC60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 62W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 62W
• 開關能量: 55µJ (on), 85µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/72ns
• 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 22ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD10NC60KT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A 60W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 30A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 55µJ (on), 85µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/72ns
• 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD10NC60SDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 18A 60W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 60µJ (on), 340µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 18nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/160ns
• 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 22ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD10NC60ST4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 18A 60W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 18A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 60µJ (on), 340µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 18nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/160ns
• 測試條件: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD14NC60KT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 25A 80W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 80W
• 開關能量: 82µJ (on), 155µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 34.4nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22.5ns/116ns
• 測試條件: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD18N40LZ-1

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 420V 25A 125W IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 420V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 29nC
• 25°C時的Td（開/關）: 650ns/13.5µs
• 測試條件: 300V, 10A, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: I-PAK

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STGD18N40LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 420V 25A 125W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 420V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 29nC
• 25°C時的Td（開/關）: 650ns/13.5µs
• 測試條件: 300V, 10A, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD19N40LZ

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 20V 40A DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 390V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 17nC
• 25°C時的Td（開/關）: 650ns/13.5µs
• 測試條件: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD20N40LZ

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 390V 25A 125W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 390V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 4V, 6A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: 700ns/4.3µs
• 測試條件: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD20N45LZAG

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

POWER TRANSISTORS

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 50A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.25V @ 4V, 6A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 26nC
• 25°C時的Td（開/關）: 1.1µs/4.6µs
• 測試條件: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD25N40LZAG

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

POWER TRANSISTORS

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 435V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 50A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.25V @ 4V, 6A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 26nC
• 25°C時的Td（開/關）: 1.1µs/4.6µs
• 測試條件: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD3HF60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 7.5A 38W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7.5A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
• 功率-最大: 38W
• 開關能量: 19µJ (on), 12µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 12nC
• 25°C時的Td（開/關）: 11ns/60ns
• 測試條件: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 85ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD3NB60FT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 60W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 60W
• 開關能量: 125µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 16nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12.5ns/105ns
• 測試條件: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 45ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD3NB60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 10A 50W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 50W
• 開關能量: 33µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 21nC
• 25°C時的Td（開/關）: 5ns/53ns
• 測試條件: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD3NB60SD-1

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 48W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 48W
• 開關能量: 1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 18nC
• 25°C時的Td（開/關）: 125µs/3.4µs
• 測試條件: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD3NB60SDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 48W DPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 48W
• 開關能量: 1.15mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 18nC
• 25°C時的Td（開/關）: 125µs/-
• 測試條件: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD3NC120H-1

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 16A IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 105W
• 開關能量: 236µJ (on), 290µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/118ns
• 測試條件: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: IPAK (TO-251)

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STGD4M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: M
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 16A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 68W
• 開關能量: 40µJ (on), 136µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 15.2nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/86ns
• 測試條件: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 133ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD5H60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 83W
• 開關能量: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 43nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/140ns
• 測試條件: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 134.5ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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STGD5NB120SZ-1

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 10A 75W IPAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 10A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 75W
• 開關能量: 2.59mJ (on), 9mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 690ns/12.1µs
• 測試條件: 960V, 5A, 1kOhm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: I-PAK

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