晶體管

型號	描述	庫存
TF256-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-1123 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存6,714
TF256-5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 240µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-1123 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存4,626
TF256TH-3-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存5,976
TF256TH-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存2,826
TF256TH-5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 240µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-VTFP	庫存7,380
TF262TH-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存18,857
TF262TH-5-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存7,272
TF408-2-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存8,460
TF408-3-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存6,120
TF408-3-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,014
TF410-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 0.7pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 30mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 3-USFP	庫存6,102
TF410-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,730
TF412ST5G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	庫存126,060
TF414T5G ON Semiconductor	晶體管-JFET IC JFET N-CH 40V XDFN3 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 0.7pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	庫存378,096
TIS74 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 4nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,400
TIS74_J35Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 4nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,320
TIS75 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,776
TIS75_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,806
TIS75_D75Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,582
TIS75_J35Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,776
U1897 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,590
U1898 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,492
U1898_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,956
U290 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 3 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存7,380
U290-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 3 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存7,956
U291 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 7 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存28
U291-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 7 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存6,174
U310-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 25V TO-52 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存3,128
U430 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 25V TO-78 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝: TO-78-6	庫存8,856
U430-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-78 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝: TO-78-6	庫存2,304

TF256-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-1123
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存6,714

TF256-5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 240µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-1123
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存4,626

TF256TH-3-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存5,976

TF256TH-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存2,826

TF256TH-5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 240µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.1pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-VTFP

庫存7,380

TF262TH-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存18,857

TF262TH-5-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存7,272

TF408-2-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存8,460

TF408-3-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存6,120

TF408-3-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,014

TF410-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 0.7pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 30mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 3-USFP

庫存6,102

TF410-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,730

TF412ST5G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

庫存126,060

TF414T5G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

IC JFET N-CH 40V XDFN3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 0.7pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

庫存378,096

TIS74

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 4nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,400

TIS74_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 4nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,320

TIS75

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,776

TIS75_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,806

TIS75_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,582

TIS75_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 4nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,776

U1897

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,590

U1898

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,492

U1898_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,956

U290

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 3 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存7,380

U290-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 3 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存7,956

U291

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 7 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存28

U291-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 7 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存6,174

U310-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 25V TO-52

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存3,128

U430

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 25V TO-78

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝: TO-78-6

庫存8,856

U430-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-78

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝: TO-78-6

庫存2,304

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