晶體管

RN1421TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1422TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1423TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1424TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1425TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 470 Ohms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1426TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1427TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 300MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1441ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 5.6 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 30MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1442ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 30MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN1444ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 4mA, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 30MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2101CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2101,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN2102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2102CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2102,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN2103ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2103CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2103,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2103MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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RN2103(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN2104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2104CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2104,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2104MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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RN2104(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

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RN2105ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2105CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

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RN2105,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2105MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

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