晶體管

型號	描述	庫存
IPG20N06S3L-35 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V 功率-最大: 30W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存5,814
IPG20N06S415AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存365,664
IPG20N06S415ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存8,190
IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存6,930
IPG20N06S4L11AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 28µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4020pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存8,406
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 28µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4020pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存3,924
IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存7,038
IPG20N06S4L14ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存2,934
IPG20N06S4L14ATMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存8,208
IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V 功率-最大: 33W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存80,388
IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V 功率-最大: 33W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存239,598
IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 25V 功率-最大: 43W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存7,254
IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1755pF @ 25V 功率-最大: 60W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存215,058
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1755pF @ 25V 功率-最大: 60W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存48,120
IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1105pF @ 25V 功率-最大: 43W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存3,454
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 16µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1105pF @ 25V 功率-最大: 43W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存76,464
IRF3546MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc), 20A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 13V 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 41-PowerVFQFN 供應商設備包裝: 41-PQFN (6x8)	庫存4,104
IRF3575DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 303A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 32-PowerWFQFN 供應商設備包裝: 32-PQFN (6x6)	庫存7,002
IRF40H233XTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 TRENCH <= 40V 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,480
IRF5810 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 16V 功率-最大: 960mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存5,886
IRF5810TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 16V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存6,462
IRF5810TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 16V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存5,166
IRF5850 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存4,392
IRF5850TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存5,292
IRF5850TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存8,604
IRF5851 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存2,100
IRF5851TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存4,824
IRF5851TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存2,376
IRF5852 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存36,857
IRF5852TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存7,668

IPG20N06S3L-35

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 25V
功率-最大: 30W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存5,814

IPG20N06S415AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存365,664

IPG20N06S415ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存8,190

IPG20N06S415ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 25V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存6,930

IPG20N06S4L11AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 28µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4020pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存8,406

IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 28µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4020pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存3,924

IPG20N06S4L14AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存7,038

IPG20N06S4L14ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存2,934

IPG20N06S4L14ATMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2890pF @ 25V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存8,208

IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V
功率-最大: 33W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存80,388

IPG20N06S4L26ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 25V
功率-最大: 33W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存239,598

IPG20N10S436AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 25V
功率-最大: 43W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存7,254

IPG20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1755pF @ 25V
功率-最大: 60W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存215,058

IPG20N10S4L22ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1755pF @ 25V
功率-最大: 60W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存48,120

IPG20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1105pF @ 25V
功率-最大: 43W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存3,454

IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 16µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1105pF @ 25V
功率-最大: 43W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存76,464

IRF3546MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc), 20A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1310pF @ 13V
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 41-PowerVFQFN
供應商設備包裝: 41-PQFN (6x8)

庫存4,104

IRF3575DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 303A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 32-PowerWFQFN
供應商設備包裝: 32-PQFN (6x6)

庫存7,002

IRF40H233XTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

TRENCH <= 40V

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,480

IRF5810

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 16V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存5,886

IRF5810TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 16V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存6,462

IRF5810TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 16V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存5,166

IRF5850

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存4,392

IRF5850TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存5,292

IRF5850TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存8,604

IRF5851

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存2,100

IRF5851TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存4,824

IRF5851TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存2,376

IRF5852

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存36,857

IRF5852TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存7,668

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