晶體管

型號	描述	庫存
IRF7324 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,532
IRF7324PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,412
IRF7324TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存382,044
IRF7325 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,390
IRF7325PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,736
IRF7325TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,078
IRF7325TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,358
IRF7328PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存860
IRF7328TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,168
IRF7328TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,500
IRF7329PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存123
IRF7329TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,732
IRF7329TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存92,250
IRF7331 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,176
IRF7331PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,078
IRF7331TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,964
IRF7331TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,092
IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,318
IRF7335D1TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 14-SOIC	庫存5,472
IRF7338PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 9V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,878
IRF7338TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 9V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,088
IRF7341GTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 55V 5.1A 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,452
IRF7341PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存58,528
IRF7341QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,146
IRF7341TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存241,194
IRF7342PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存238
IRF7342QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,462
IRF7342TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,246
IRF7343PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,856
IRF7343QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,772

IRF7324

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,532

IRF7324PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,412

IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存382,044

IRF7325

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,390

IRF7325PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,736

IRF7325TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,078

IRF7325TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2020pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,358

IRF7328PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存860

IRF7328TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,168

IRF7328TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 78nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2675pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,500

IRF7329PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存123

IRF7329TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,732

IRF7329TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3450pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存92,250

IRF7331

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,176

IRF7331PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,078

IRF7331TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,964

IRF7331TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 16V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,092

IRF7331TRPBF-1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,318

IRF7335D1TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 14-SOIC

庫存5,472

IRF7338PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 9V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,878

IRF7338TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.3A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 9V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,088

IRF7341GTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 55V 5.1A

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,452

IRF7341PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存58,528

IRF7341QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,146

IRF7341TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存241,194

IRF7342PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存238

IRF7342QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,462

IRF7342TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,246

IRF7343PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,856

IRF7343QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,772

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