晶體管

型號	描述	庫存
HS8K11TB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: HSML3030L10	庫存3,438
HS8K1TB Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 30V NCH+NCH POWER MOSFET 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 11A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC, 7.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 348pF, 429pF @ 15V 功率-最大: 2W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: HSML3030L10	庫存27,732
HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 218.7pF @ 25V 功率-最大: 1.7W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,598
HUF76407DK8T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存3,132
HUFA76404DK8T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 62V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 3.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存4,320
HUFA76407DK8T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存27,329
HUFA76407DK8T-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存5,148
HUFA76413DK8T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存3,418
HUFA76413DK8T-F085 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存18,648
HUFA76504DK8T ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC 制造商: ON Semiconductor 系列: UltraFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存8,190
IPG15N06S3L-45 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1420pF @ 25V 功率-最大: 21W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存7,002
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 9µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V 功率-最大: 29W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存7,560
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 9µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V 功率-最大: 29W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存7,128
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 845pF @ 25V 功率-最大: 29W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存2,790
IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存4,986
IPG20N04S408ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存5,256
IPG20N04S412AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V 功率-最大: 41W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存2,952
IPG20N04S412ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V 功率-最大: 41W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存6,498
IPG20N04S4L07AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存3,852
IPG20N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存8,082
IPG20N04S4L08AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 22µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3050pF @ 25V 功率-最大: 54W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存5,526
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 22µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3050pF @ 25V 功率-最大: 54W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存182,286
IPG20N04S4L11AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1990pF @ 25V 功率-最大: 41W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存8,208
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 15µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1990pF @ 25V 功率-最大: 41W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存120,084
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 27µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存77,562
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 27µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V 功率-最大: 65W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存37,296
IPG20N06S2L50AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 19µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V 功率-最大: 51W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存4,122
IPG20N06S2L50ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 19µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V 功率-最大: 51W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存3,690
IPG20N06S2L65AATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V 功率-最大: 43W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10	庫存37,596
IPG20N06S3L-23 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V 功率-最大: 45W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存6,642

HS8K11TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A, 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: HSML3030L10

庫存3,438

HS8K1TB

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

30V NCH+NCH POWER MOSFET

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC, 7.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 348pF, 429pF @ 15V
功率-最大: 2W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: HSML3030L10

庫存27,732

HTMN5130SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 218.7pF @ 25V
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,598

HUF76407DK8T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V SOP-8

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存3,132

HUFA76404DK8T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 62V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存4,320

HUFA76407DK8T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存27,329

HUFA76407DK8T-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存5,148

HUFA76413DK8T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存3,418

HUFA76413DK8T-F085

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存18,648

HUFA76504DK8T

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC

制造商: ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 200mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存8,190

IPG15N06S3L-45

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1420pF @ 25V
功率-最大: 21W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存7,002

IPG16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 9µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
功率-最大: 29W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存7,560

IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 9µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 25V
功率-最大: 29W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存7,128

IPG16N10S4L61AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 845pF @ 25V
功率-最大: 29W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存2,790

IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存4,986

IPG20N04S408ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2940pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存5,256

IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V
功率-最大: 41W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存2,952

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V
功率-最大: 41W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存6,498

IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存3,852

IPG20N04S4L07ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存8,082

IPG20N04S4L08AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 22µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3050pF @ 25V
功率-最大: 54W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存5,526

IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 22µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3050pF @ 25V
功率-最大: 54W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存182,286

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1990pF @ 25V
功率-最大: 41W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存8,208

IPG20N04S4L11ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 15µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1990pF @ 25V
功率-最大: 41W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存120,084

IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 27µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存77,562

IPG20N06S2L35ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 27µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
功率-最大: 65W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存37,296

IPG20N06S2L50AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 19µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
功率-最大: 51W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存4,122

IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 19µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 25V
功率-最大: 51W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存3,690

IPG20N06S2L65AATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 14µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 410pF @ 25V
功率-最大: 43W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-10

庫存37,596

IPG20N06S3L-23

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2950pF @ 25V
功率-最大: 45W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存6,642

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