晶體管

型號	描述	庫存
IRF5852TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 960mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-TSOP	庫存7,974
IRF6150 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-WFBGA 供應商設備包裝: 16-FlipFet™	庫存6,840
IRF6156 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-FlipFet™ 供應商設備包裝: 6-FlipFet™	庫存7,002
IRF6702M2DTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V 功率-最大: 2.7W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA	庫存5,166
IRF6702M2DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V 功率-最大: 2.7W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA	庫存3,942
IRF6723M2DTR1P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V 功率-最大: 2.7W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA	庫存3,492
IRF6723M2DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V 功率-最大: 2.7W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA	庫存8,478
IRF6802SDTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 16A SA 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 13V 功率-最大: 1.7W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SA 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SA	庫存5,022
IRF6802SDTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 16A SA 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 13V 功率-最大: 1.7W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SA 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SA	庫存2,772
IRF7101PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,470
IRF7101TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存35,256
IRF7102 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,578
IRF7103PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,400
IRF7103Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存10,656
IRF7103QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,732
IRF7103TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存570,672
IRF7104PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6
IRF7104TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,196
IRF7105PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,104
IRF7105QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,626
IRF7105TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存35,652
IRF7106 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,642
IRF7301PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,776
IRF7301TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,200
IRF7303PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,236
IRF7303QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,268
IRF7303TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存29,412
IRF7304 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存250,962
IRF7304PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,416
IRF7304QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,010

IRF5852TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 960mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-TSOP

庫存7,974

IRF6150

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-WFBGA
供應商設備包裝: 16-FlipFet™

庫存6,840

IRF6156

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 15V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-FlipFet™
供應商設備包裝: 6-FlipFet™

庫存7,002

IRF6702M2DTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V
功率-最大: 2.7W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA

庫存5,166

IRF6702M2DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V
功率-最大: 2.7W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA

庫存3,942

IRF6723M2DTR1P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V
功率-最大: 2.7W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA

庫存3,492

IRF6723M2DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1380pF @ 15V
功率-最大: 2.7W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MA
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MA

庫存8,478

IRF6802SDTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 16A SA

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 13V
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SA
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SA

庫存5,022

IRF6802SDTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 16A SA

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 13V
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SA
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SA

庫存2,772

IRF7101PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,470

IRF7101TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存35,256

IRF7102

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,578

IRF7103PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,400

IRF7103Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存10,656

IRF7103QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,732

IRF7103TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存570,672

IRF7104PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6

IRF7104TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,196

IRF7105PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,104

IRF7105QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,626

IRF7105TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 330pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存35,652

IRF7106

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,642

IRF7301PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,776

IRF7301TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,200

IRF7303PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,236

IRF7303QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,268

IRF7303TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存29,412

IRF7304

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存250,962

IRF7304PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,416

IRF7304QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,010

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