晶體管

型號	描述	庫存
MPSH17RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz 增益: 24dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,190
MPSH81 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,102
MPSH81 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,254
MPSH81 MICROSS/On Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF DIE TRANSISTOR RF PNP 制造商: MICROSS/On Semiconductor 系列: * 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,042
MPSH81_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,250
MPSH81_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,168
MPSH81_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,184
MPSH81 TRE Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: SOT-23	庫存2,790
MRF10031 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 332A-03 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 30W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 332A-03 供應商設備包裝: 332A-03, Style 2	庫存6,102
MRF10120 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 355C-02 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB 功率-最大: 120W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 355C-02 供應商設備包裝: 355C-02, Style 1	庫存5,040
MRF10350 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 355E-01 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 350W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 355E-01 供應商設備包裝: 355E-01, Style 1	庫存5,742
MRF10502 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 355J-02 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 500W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 29A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 355J-02 供應商設備包裝: 355J-02, STYLE 1	庫存8,586
MRF1090MB M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 70V 332A-03 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10.8dB 功率-最大: 90W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2.5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 332A-03 供應商設備包裝: 332A-03, Style 1	庫存6,840
MRF314 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 211-07 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13.5dB 功率-最大: 30W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1.5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.4A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 211-07 供應商設備包裝: 211-07, STYLE 1	庫存7,776
MRF321 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 33V 244-04 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 33V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB 功率-最大: 10W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.1A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 244-04 供應商設備包裝: 244-04, STYLE 1	庫存8,946
MRF327 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 33V 316-01 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 33V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB 功率-最大: 80W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 316-01 供應商設備包裝: 316-01, STYLE 1	庫存6,804
MRF392 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Common Emitter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 125W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 744A-01 供應商設備包裝: 744A-01, Style 1	庫存3,978
MRF393 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Common Emitter 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.5dB 功率-最大: 100W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 744A-01 供應商設備包裝: 744A-01, Style 1	庫存6,714
MRF422 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 35V 211-11 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB 功率-最大: 150W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 211-11, Style 2 供應商設備包裝: 211-11, Style 2	庫存258
MRF428 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 211-11 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 15dB 功率-最大: 150W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 211-11, Style 2 供應商設備包裝: 211-11, Style 2	庫存2,728
MRF4427 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 20dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,316
MRF4427G Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 20dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,040
MRF4427GR1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 20dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,812
MRF4427GR2 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 20dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,454
MRF4427R1 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 8DBGA 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 20dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-dBGA (2x1.5)	庫存5,778
MRF4427R2 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 8SO 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 20dB 功率-最大: 1.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,344
MRF448 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 50V 211-11 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 14dB 功率-最大: 250W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 211-11, Style 2 供應商設備包裝: 211-11, Style 2	庫存6,648
MRF454 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 211-11 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 12dB 功率-最大: 80W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 211-11, Style 2 供應商設備包裝: 211-11, Style 2	庫存5,022
MRF455 M/A-Com Technology Solutions	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 18V 211-07 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB 功率-最大: 60W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 211-07 供應商設備包裝: 211-07, STYLE 1	庫存6,120
MRF517 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB ~ 10dB 功率-最大: 2.5W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 60mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-39	庫存5,310

MPSH17RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz
增益: 24dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,190

MPSH81

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,102

MPSH81

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,254

MPSH81

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

DIE TRANSISTOR RF PNP

制造商: MICROSS/On Semiconductor
系列: *
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,042

MPSH81_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,250

MPSH81_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,168

MPSH81_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,184

MPSH81 TRE

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: SOT-23

庫存2,790

MRF10031

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 332A-03

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 30W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 332A-03
供應商設備包裝: 332A-03, Style 2

庫存6,102

MRF10120

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 355C-02

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB
功率-最大: 120W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 355C-02
供應商設備包裝: 355C-02, Style 1

庫存5,040

MRF10350

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 355E-01

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 350W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 355E-01
供應商設備包裝: 355E-01, Style 1

庫存5,742

MRF10502

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 355J-02

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 500W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 29A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 355J-02
供應商設備包裝: 355J-02, STYLE 1

庫存8,586

MRF1090MB

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 70V 332A-03

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10.8dB
功率-最大: 90W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2.5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 332A-03
供應商設備包裝: 332A-03, Style 1

庫存6,840

MRF314

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 211-07

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13.5dB
功率-最大: 30W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1.5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 3.4A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 211-07
供應商設備包裝: 211-07, STYLE 1

庫存7,776

MRF321

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 33V 244-04

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 33V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB
功率-最大: 10W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.1A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 244-04
供應商設備包裝: 244-04, STYLE 1

庫存8,946

MRF327

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 33V 316-01

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 33V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB
功率-最大: 80W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 4A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 316-01
供應商設備包裝: 316-01, STYLE 1

庫存6,804

MRF392

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual) Common Emitter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 125W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 744A-01
供應商設備包裝: 744A-01, Style 1

庫存3,978

MRF393

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual) Common Emitter
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.5dB
功率-最大: 100W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 744A-01
供應商設備包裝: 744A-01, Style 1

庫存6,714

MRF422

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 35V 211-11

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 35V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB
功率-最大: 150W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 211-11, Style 2
供應商設備包裝: 211-11, Style 2

庫存258

MRF428

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 211-11

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 15dB
功率-最大: 150W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 211-11, Style 2
供應商設備包裝: 211-11, Style 2

庫存2,728

MRF4427

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 20dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,316

MRF4427G

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 20dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,040

MRF4427GR1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 20dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,812

MRF4427GR2

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 20dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,454

MRF4427R1

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 8DBGA

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 20dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-dBGA (2x1.5)

庫存5,778

MRF4427R2

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 8SO

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 20dB
功率-最大: 1.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,344

MRF448

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 50V 211-11

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 14dB
功率-最大: 250W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 211-11, Style 2
供應商設備包裝: 211-11, Style 2

庫存6,648

MRF454

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 211-11

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 12dB
功率-最大: 80W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 211-11, Style 2
供應商設備包裝: 211-11, Style 2

庫存5,022

MRF455

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 18V 211-07

制造商: M/A-Com Technology Solutions
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB
功率-最大: 60W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 211-07
供應商設備包裝: 211-07, STYLE 1

庫存6,120

MRF517

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB ~ 10dB
功率-最大: 2.5W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 60mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-39

庫存5,310

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