晶體管

型號	描述	庫存
MMBTH81 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存263,214
MMBTH81_D87Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,052
MMBTH81_F080 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存8,262
MPA201 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 22V 2GHZ 55AU 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 13dB 功率-最大: 6W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AU 供應商設備包裝: 55AU	庫存4,194
MPA201HS Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANS RF BIPO 6W 300MA 55AU2 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,516
MPS3563 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 1.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 60MHz 增益: 14dB @ 200MHz 功率-最大: 350W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存8,694
MPS3563G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 1.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 60MHz 增益: 14dB @ 200MHz 功率-最大: 350W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存6,552
MPS5179 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,406
MPS5179_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,510
MPS5179_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,742
MPS5179_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,282
MPS5179G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,222
MPS5179RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 200W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,978
MPS5179RLRPG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 200W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,328
MPSH10 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPNUHF/VHF 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,960
MPSH10_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,510
MPSH10_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,892
MPSH10_D74Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,444
MPSH10_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,428
MPSH10G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,070
MPSH10RLRA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,268
MPSH10RLRAG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,164
MPSH10RLRPG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,978
MPSH11 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,608
MPSH11_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,042
MPSH17 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz 增益: 24dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,880
MPSH17_D26Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz 增益: 24dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,732
MPSH17_D27Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz 增益: 24dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,022
MPSH17_D75Z ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz 增益: 24dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,482
MPSH17G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz 增益: 24dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,138

MMBTH81

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存263,214

MMBTH81_D87Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,052

MMBTH81_F080

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存8,262

MPA201

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 22V 2GHZ 55AU

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 22V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 13dB
功率-最大: 6W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 100mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AU
供應商設備包裝: 55AU

庫存4,194

MPA201HS

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANS RF BIPO 6W 300MA 55AU2

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,516

MPS3563

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 1.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 60MHz
增益: 14dB @ 200MHz
功率-最大: 350W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存8,694

MPS3563G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 1.5GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 60MHz
增益: 14dB @ 200MHz
功率-最大: 350W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存6,552

MPS5179

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,406

MPS5179_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,510

MPS5179_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,742

MPS5179_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,282

MPS5179G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,222

MPS5179RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 200W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,978

MPS5179RLRPG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 200W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,328

MPSH10

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPNUHF/VHF

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,960

MPSH10_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,510

MPSH10_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,892

MPSH10_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,444

MPSH10_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,428

MPSH10G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,070

MPSH10RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,268

MPSH10RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,164

MPSH10RLRPG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,978

MPSH11

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,608

MPSH11_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,042

MPSH17

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz
增益: 24dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,880

MPSH17_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz
增益: 24dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,732

MPSH17_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz
增益: 24dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,022

MPSH17_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz
增益: 24dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,482

MPSH17G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 200MHz
增益: 24dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,138

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