晶體管

型號	描述	庫存
MCH4021-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V 頻率-過渡: 16GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz 增益: 17.5dB 功率-最大: 400mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: 4-MCPH	庫存4,320
MDS1100 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.03GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.9dB 功率-最大: 8750W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 55TU-1 供應商設備包裝: 55TU-1	庫存8,622
MDS140L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.5dB 功率-最大: 500W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存5,616
MDS150 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 350W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存2,106
MDS400 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.5dB 功率-最大: 1450W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55KT 供應商設備包裝: 55KT	庫存8,370
MDS500L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9.2dB 功率-最大: 833W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST 供應商設備包裝: 55ST	庫存2,484
MDS60L Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10dB 功率-最大: 120W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存4,986
MDS70 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 10.3dB ~ 11.65dB 功率-最大: 225W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55CX 供應商設備包裝: 55CX	庫存7,272
MDS800 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.09GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 8.6dB 功率-最大: 1458W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST-1 供應商設備包裝: 55ST-1	庫存7,596
MMBT5179 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存670,524
MMBT5770 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,058
MMBT918 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: 15dB 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,622
MMBT918LT1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: 11dB 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存9,596
MMBT918LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: 11dB 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存55,188
MMBTH10 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存3,490
MMBTH10-4LT1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,082
MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 800MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存83,514
MMBTH10-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存6,984
MMBTH10-7-F Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存27,750
MMBTH10LT1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存40,398
MMBTH10LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存314,496
MMBTH10LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存74,460
MMBTH10M3T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 265mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SOT-723	庫存7,074
MMBTH10RG ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 450MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,420
MMBTH10-TP Micro Commercial Co	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 制造商: Micro Commercial Co 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存4,842
MMBTH11 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存50,814
MMBTH24 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 400MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存7,938
MMBTH24-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 400MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存7,902
MMBTH24-7-F Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 400MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 300mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存53,214
MMBTH34 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 40V 500MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 225mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 20mA, 2V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,604

MCH4021-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V
頻率-過渡: 16GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
增益: 17.5dB
功率-最大: 400mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: 4-MCPH

庫存4,320

MDS1100

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.03GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.9dB
功率-最大: 8750W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 55TU-1
供應商設備包裝: 55TU-1

庫存8,622

MDS140L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.5dB
功率-最大: 500W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存5,616

MDS150

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 350W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存2,106

MDS400

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.5dB
功率-最大: 1450W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55KT
供應商設備包裝: 55KT

庫存8,370

MDS500L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 70V
頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9.2dB
功率-最大: 833W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST
供應商設備包裝: 55ST

庫存2,484

MDS60L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10dB
功率-最大: 120W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存4,986

MDS70

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.03GHz ~ 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 10.3dB ~ 11.65dB
功率-最大: 225W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55CX
供應商設備包裝: 55CX

庫存7,272

MDS800

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.09GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 8.6dB
功率-最大: 1458W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST-1
供應商設備包裝: 55ST-1

庫存7,596

MMBT5179

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存670,524

MMBT5770

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 10mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,058

MMBT918

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: 15dB
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,622

MMBT918LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: 11dB
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存9,596

MMBT918LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: 11dB
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存55,188

MMBTH10

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存3,490

MMBTH10-4LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,082

MMBTH10-4LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 800MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存83,514

MMBTH10-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存6,984

MMBTH10-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存27,750

MMBTH10LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存40,398

MMBTH10LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存314,496

MMBTH10LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存74,460

MMBTH10M3T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 265mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SOT-723

庫存7,074

MMBTH10RG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 450MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,420

MMBTH10-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存4,842

MMBTH11

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存50,814

MMBTH24

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 400MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存7,938

MMBTH24-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 400MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存7,902

MMBTH24-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 400MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 300mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存53,214

MMBTH34

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 40V 500MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 225mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 20mA, 2V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,604

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