晶體管

型號	描述	庫存
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 34V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 119pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存45,324
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存53,628
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存2,268
SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 86pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存5,454
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 331pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存5,580
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 331pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存3,598
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存8,622
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 137pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存6,714
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.3nC @ 4V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1484pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存3,384
SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSV FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存5,382
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存278,262
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存42,684
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5.5A 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存100,122
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存55,236
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,726
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存28,158
SSM3J143TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存21,612
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存44,556
SSM3J145TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: +6V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: UFM 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads	庫存24,846
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 413pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSM 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,192
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存8,712
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,568
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,290
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 0.1A USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: USM 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存5,652
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: VESM 包裝/箱: SOT-723	庫存141,240
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V Vgs（最大）: +20V, -16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 82pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: S-Mini 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,142
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVI FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11pF @ 3V FET功能: - 功耗（最大值）: 100mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: CST3 包裝/箱: SC-101, SOT-883	庫存5,130
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 127mOhm @ 1A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 4V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 335pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSM 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存3,384
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 15V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSM 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,628
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5A TSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSV FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1170pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSM 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存5,130

SSM3H137TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 34V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 119pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存45,324

SSM3J09FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存53,628

SSM3J108TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 250pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存2,268

SSM3J112TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 86pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存5,454

SSM3J114TU(T5L,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 331pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存5,580

SSM3J114TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 331pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存3,598

SSM3J117TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存8,622

SSM3J118TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 137pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存6,714

SSM3J120TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIV
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.3nC @ 4V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1484pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存3,384

SSM3J129TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSV
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存5,382

SSM3J130TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存278,262

SSM3J132TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存42,684

SSM3J133TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.5A

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存100,122

SSM3J134TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存55,236

SSM3J135TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,726

SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存28,158

SSM3J143TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存21,612

SSM3J144TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存44,556

SSM3J145TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: +6V, -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: UFM
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads

庫存24,846

SSM3J14TTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 413pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSM
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,192

SSM3J15CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存8,712

SSM3J15F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,568

SSM3J15FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,290

SSM3J15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 0.1A USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: USM
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存5,652

SSM3J15FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.7V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.1pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: VESM
包裝/箱: SOT-723

庫存141,240

SSM3J168F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs（最大）: +20V, -16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 82pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: S-Mini
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,142

SSM3J16CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: π-MOSVI
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11pF @ 3V
FET功能: -
功耗（最大值）: 100mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: CST3
包裝/箱: SC-101, SOT-883

庫存5,130

SSM3J304T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIII
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 127mOhm @ 1A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.1nC @ 4V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 335pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSM
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存3,384

SSM3J306T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 15V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 280pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSM
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,628

SSM3J307T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5A TSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSV
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1170pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSM
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存5,130

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