晶體管

型號	描述	庫存
IRFHM792TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 251pF @ 25V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	庫存5,400
IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1165pF @ 10V 功率-最大: 2.7W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	庫存7,596
IRFHM8363TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1165pF @ 10V 功率-最大: 2.7W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	庫存8,154
IRFHS9351TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerVDFN 供應商設備包裝: 6-PQFN Dual (2x2)	庫存3,618
IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VQFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)	庫存91,506
IRFI4019H-117P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V 功率-最大: 18W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-5 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak	庫存20,976
IRFI4019HG-117P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V 功率-最大: 18W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-5 Full Pack (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak	庫存2,484
IRFI4020H-117P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 25V 功率-最大: 21W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-5 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak	庫存8,112
IRFI4024H-117P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 7.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 50V 功率-最大: 14W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-5 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak	庫存2,286
IRFI4212H-117P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 50V 功率-最大: 18W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-220-5 Full Pack 供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak	庫存8,496
IRL6297SDTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2245pF @ 10V 功率-最大: 1.7W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric SA 供應商設備包裝: DIRECTFET™ SA	庫存4,788
IRL6372PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存16,979
IRL6372TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存32,406
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerVDFN 供應商設備包裝: 6-PQFN Dual (2x2)	庫存4,086
IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VQFN 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)	庫存85,410
IRLHS6376TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)	庫存53
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)	庫存35,898
IXTL2X180N10T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK 制造商: IXYS 系列: Trench™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 25V 功率-最大: 150W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™ 供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™	庫存7,812
IXTL2X200N085T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 85V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 112A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V 功率-最大: 150W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™ 供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™	庫存2,448
IXTL2X220N075T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7700pF @ 25V 功率-最大: 150W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™ 供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™	庫存6,192
IXTL2X240N055T IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V 功率-最大: 150W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™ 供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™	庫存3,276
JAN2N7334 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/597 FET類型: 4 N-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: MO-036AB	庫存8,154
JAN2N7335 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/599 FET類型: 4 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: -	庫存3,654
JANTX2N7334 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/597 FET類型: 4 N-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: MO-036AB	庫存2,970
JANTX2N7335 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/599 FET類型: 4 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: MO-036AB	庫存8,316
JANTXV2N7334 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/597 FET類型: 4 N-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: MO-036AB	庫存5,796
JANTXV2N7335 Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/599 FET類型: 4 P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: MO-036AB	庫存8,460
KGF16N05D-400 Renesas Electronics America Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP 制造商: Renesas Electronics America Inc. 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 5.5V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 0.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 5V 功率-最大: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 20-UFLGA, CSP 供應商設備包裝: 20-WLCSP (2.48x1.17)	庫存4,212
KGF6N05D-400 Renesas Electronics America Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 IC MOSFET N-CH 制造商: Renesas Electronics America Inc. 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 5.5V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 0.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 3.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 5.5V 功率-最大: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 20-UFLGA, CSP 供應商設備包裝: 20-WLCSP (2.48x1.17)	庫存2,718
LKK47-06C5 IXYS	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264 制造商: IXYS 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: ISOPLUS264™ 供應商設備包裝: ISOPLUS264™	庫存8,676

IRFHM792TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 251pF @ 25V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

庫存5,400

IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1165pF @ 10V
功率-最大: 2.7W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

庫存7,596

IRFHM8363TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1165pF @ 10V
功率-最大: 2.7W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

庫存8,154

IRFHS9351TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerVDFN
供應商設備包裝: 6-PQFN Dual (2x2)

庫存3,618

IRFHS9351TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 25V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VQFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)

庫存91,506

IRFI4019H-117P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
功率-最大: 18W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-5 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak

庫存20,976

IRFI4019HG-117P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
功率-最大: 18W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak

庫存2,484

IRFI4020H-117P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 25V
功率-最大: 21W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-5 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak

庫存8,112

IRFI4024H-117P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 50V
功率-最大: 14W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-5 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak

庫存2,286

IRFI4212H-117P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 50V
功率-最大: 18W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-220-5 Full Pack
供應商設備包裝: TO-220-5 Full-Pak

庫存8,496

IRL6297SDTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2245pF @ 10V
功率-最大: 1.7W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric SA
供應商設備包裝: DIRECTFET™ SA

庫存4,788

IRL6372PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存16,979

IRL6372TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存32,406

IRLHS6276TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerVDFN
供應商設備包裝: 6-PQFN Dual (2x2)

庫存4,086

IRLHS6276TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 10V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VQFN
供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)

庫存85,410

IRLHS6376TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)

庫存53

IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 25V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-PQFN (2x2)

庫存35,898

IXTL2X180N10T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

制造商: IXYS
系列: Trench™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 151nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 25V
功率-最大: 150W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™

庫存7,812

IXTL2X200N085T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 85V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 112A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 152nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
功率-最大: 150W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™

庫存2,448

IXTL2X220N075T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7700pF @ 25V
功率-最大: 150W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™

庫存6,192

IXTL2X240N055T

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5

制造商: IXYS
系列: TrenchMV™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 140A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
功率-最大: 150W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™

庫存3,276

JAN2N7334

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/597
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: MO-036AB

庫存8,154

JAN2N7335

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/599
FET類型: 4 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: -

庫存3,654

JANTX2N7334

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/597
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: MO-036AB

庫存2,970

JANTX2N7335

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/599
FET類型: 4 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: MO-036AB

庫存8,316

JANTXV2N7334

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/597
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: MO-036AB

庫存5,796

JANTXV2N7335

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/599
FET類型: 4 P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: MO-036AB

庫存8,460

KGF16N05D-400

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP

制造商: Renesas Electronics America Inc.
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 5.5V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 0.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 5V
功率-最大: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 20-UFLGA, CSP
供應商設備包裝: 20-WLCSP (2.48x1.17)

庫存4,212

KGF6N05D-400

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

IC MOSFET N-CH

制造商: Renesas Electronics America Inc.
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 5.5V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 0.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 3.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 5.5V
功率-最大: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 20-UFLGA, CSP
供應商設備包裝: 20-WLCSP (2.48x1.17)

庫存2,718

LKK47-06C5

IXYS

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264

制造商: IXYS
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: ISOPLUS264™
供應商設備包裝: ISOPLUS264™

庫存8,676

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