晶體管

型號	描述	庫存
IRF7757TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 15V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存2,988
IRF7901D1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 16V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,208
IRF7901D1TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 16V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,694
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: FETKY™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 16V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,628
IRF7902PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A, 9.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 15V 功率-最大: 1.4W, 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,534
IRF7902TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A, 9.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 15V 功率-最大: 1.4W, 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,320
IRF7904PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 15V 功率-最大: 1.4W, 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存25,122
IRF7904TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 15V 功率-最大: 1.4W, 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,110
IRF7904TRPBF-1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,776
IRF7905PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A, 8.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存226
IRF7905TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A, 8.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,704
IRF7907PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,384
IRF7907TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,624
IRF7910PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 6V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存262
IRF7910TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 6V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,698
IRF8313PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,834
IRF8313TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存93,444
IRF8513PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 766pF @ 15V 功率-最大: 1.5W, 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,264
IRF8513TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 766pF @ 15V 功率-最大: 1.5W, 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,724
IRF8852TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.3mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1151pF @ 20V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存8,658
IRF8910GPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,984
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,740
IRF8910PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,582
IRF8910TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,470
IRF8915 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存378
IRF8915TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,884
IRF8915TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存27,822
IRF9358PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,744
IRF9358TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存73,791
IRF9362PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,762

IRF7757TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1340pF @ 15V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存2,988

IRF7901D1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 16V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,208

IRF7901D1TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 16V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,694

IRF7901D1TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: FETKY™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 16V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,628

IRF7902PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A, 9.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 15V
功率-最大: 1.4W, 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,534

IRF7902TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.4A, 9.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 580pF @ 15V
功率-最大: 1.4W, 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,320

IRF7904PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 15V
功率-最大: 1.4W, 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存25,122

IRF7904TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A, 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 15V
功率-最大: 1.4W, 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,110

IRF7904TRPBF-1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,776

IRF7905PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A, 8.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存226

IRF7905TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A, 8.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.25V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,704

IRF7907PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A, 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,384

IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.1A, 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,624

IRF7910PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 6V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存262

IRF7910TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1730pF @ 6V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,698

IRF8313PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,834

IRF8313TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存93,444

IRF8513PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 766pF @ 15V
功率-最大: 1.5W, 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,264

IRF8513TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 766pF @ 15V
功率-最大: 1.5W, 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,724

IRF8852TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1151pF @ 20V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存8,658

IRF8910GPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,984

IRF8910GTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,740

IRF8910PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,582

IRF8910TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 960pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,470

IRF8915

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存378

IRF8915TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,884

IRF8915TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存27,822

IRF9358PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,744

IRF9358TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存73,791

IRF9362PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,762

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