晶體管

型號	描述	庫存
IRF9362TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存30,876
IRF9389PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 4.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 398pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,892
IRF9389TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 4.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 398pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存578,226
IRF9395MTR1PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3241pF @ 15V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MC 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MC	庫存4,356
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3241pF @ 15V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: DirectFET™ Isometric MC 供應商設備包裝: DIRECTFET™ MC	庫存3,924
IRF9910 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,762
IRF9910PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,672
IRF9910TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,622
IRF9910TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,374
IRF9952 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,988
IRF9952PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,758
IRF9952QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,370
IRF9952TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,614
IRF9952TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存33,402
IRF9953 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存629
IRF9953PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,334
IRF9953TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存10,503
IRF9953TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,598
IRF9956 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,520
IRF9956PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,176
IRF9956TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,330
IRF9956TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,266
IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: FASTIRFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A, 188A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 13V 功率-最大: 31W, 63W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PQFN (5x6)	庫存3,582
IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A, 145A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 13V 功率-最大: 31W, 50W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PQFN (5x6)	庫存28,980
IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A, 105A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 13V 功率-最大: 31W, 38W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PQFN (5x6)	庫存4,392
IRFH4257DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1321pF @ 13V 功率-最大: 25W, 28W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: Dual PQFN (5x4)	庫存8,226
IRFH7911TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A, 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 15V 功率-最大: 2.4W, 3.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 18-PowerVQFN 供應商設備包裝: PQFN (5x6)	庫存4,734
IRFH7911TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A, 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 15V 功率-最大: 2.4W, 3.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 18-PowerVQFN 供應商設備包裝: PQFN (5x6)	庫存3,384
IRFHE4250DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: FASTIRFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A, 303A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1735pF @ 13V 功率-最大: 156W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 32-PowerWFQFN 供應商設備包裝: 32-PQFN (6x6)	庫存8,910
IRFHM792TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 251pF @ 25V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	庫存3,492

IRF9362TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存30,876

IRF9389PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 4.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 398pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,892

IRF9389TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A, 4.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 398pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存578,226

IRF9395MTR1PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3241pF @ 15V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MC
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MC

庫存4,356

IRF9395MTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3241pF @ 15V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: DirectFET™ Isometric MC
供應商設備包裝: DIRECTFET™ MC

庫存3,924

IRF9910

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,762

IRF9910PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,672

IRF9910TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,622

IRF9910TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 12A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.55V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,374

IRF9952

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,988

IRF9952PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,758

IRF9952QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,370

IRF9952TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,614

IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存33,402

IRF9953

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存629

IRF9953PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,334

IRF9953TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存10,503

IRF9953TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,598

IRF9956

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,520

IRF9956PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,176

IRF9956TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,330

IRF9956TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,266

IRFH4251DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: FASTIRFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A, 188A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 13V
功率-最大: 31W, 63W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PQFN (5x6)

庫存3,582

IRFH4253DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A, 145A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 13V
功率-最大: 31W, 50W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PQFN (5x6)

庫存28,980

IRFH4255DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A, 105A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1314pF @ 13V
功率-最大: 31W, 38W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PQFN (5x6)

庫存4,392

IRFH4257DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1321pF @ 13V
功率-最大: 25W, 28W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: Dual PQFN (5x4)

庫存8,226

IRFH7911TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A, 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 15V
功率-最大: 2.4W, 3.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 18-PowerVQFN
供應商設備包裝: PQFN (5x6)

庫存4,734

IRFH7911TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A, 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 15V
功率-最大: 2.4W, 3.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 18-PowerVQFN
供應商設備包裝: PQFN (5x6)

庫存3,384

IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: FASTIRFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86A, 303A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1735pF @ 13V
功率-最大: 156W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 32-PowerWFQFN
供應商設備包裝: 32-PQFN (6x6)

庫存8,910

IRFHM792TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 251pF @ 25V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

庫存3,492

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