晶體管

NGTB10N60R2DT4G

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 10A 600V DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 72W
• 開關能量: 412µJ (on), 140µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 53nC
• 25°C時的Td（開/關）: 48ns/120ns
• 測試條件: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 90ns
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NGTB15N120FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 294W
• 開關能量: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 109nC
• 25°C時的Td（開/關）: 64ns/132ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 110ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTB15N120FLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 15A TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 156W
• 開關能量: 1.17mJ (on), 550µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 150nC
• 25°C時的Td（開/關）: 72ns/168ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 166ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB15N120IHLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 156W TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 156W
• 開關能量: 560µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 160nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/165ns
• 測試條件: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB15N120IHRWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 15A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 333W
• 開關能量: 340µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 160nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/170ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB15N120IHTG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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NGTB15N120IHWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 15A 1200V TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 278W
• 開關能量: 360µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/130ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTB15N120LWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 156W TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 229W
• 開關能量: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 160nC
• 25°C時的Td（開/關）: 72ns/165ns
• 測試條件: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB15N135IHRWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1350V 15A TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1350V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 357W
• 開關能量: 420µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 156nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/170ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB15N60EG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 30A 117W TO220-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 117W
• 開關能量: 900µJ (on), 300µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 80nC
• 25°C時的Td（開/關）: 78ns/130ns
• 測試條件: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 270ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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NGTB15N60R2FG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 15A 600V TO220-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 54W
• 開關能量: 550µJ (on), 220µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 80nC
• 25°C時的Td（開/關）: 70ns/190ns
• 測試條件: 300V, 15A, 30Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220F-3FS

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NGTB15N60S1EG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 30A 117W TO220-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 117W
• 開關能量: 550µJ (on), 350µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 88nC
• 25°C時的Td（開/關）: 65ns/170ns
• 測試條件: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 270ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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NGTB20N120IHLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 192W
• 開關能量: 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 200nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/235ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB20N120IHRWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 384W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 384W
• 開關能量: 450µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 225nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/235ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB20N120IHSWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 20A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 156W
• 開關能量: 650µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 155nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/160ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB20N120IHTG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 20A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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NGTB20N120IHWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 20A 1200V TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 341W
• 開關能量: 480µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 150nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/170ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTB20N120LWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 192W
• 開關能量: 3.1mJ (on), 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 200nC
• 25°C時的Td（開/關）: 86ns/235ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB20N135IHRWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1350V 40A 394W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1350V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 394W
• 開關能量: 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 234nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/245ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB20N60L2TF1G

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 20A TO3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 64W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/193ns
• 測試條件: 300V, 20A, 30Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 70ns
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PF-3

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NGTB25N120FL2WAG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 385W
• 開關能量: 990µJ (on), 660µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 181nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/113ns
• 測試條件: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 136ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-4
• 供應商設備包裝: TO-247-4L

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NGTB25N120FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 25A TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 385W
• 開關能量: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 178nC
• 25°C時的Td（開/關）: 87ns/179ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 154ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTB25N120FL3WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 349W
• 開關能量: 1mJ (on), 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 136nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/109ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 114ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTB25N120FLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 25A TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 192W
• 開關能量: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 220nC
• 25°C時的Td（開/關）: 91ns/228ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 240ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB25N120IHLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 192W
• 開關能量: 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 200nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/235ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB25N120LWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 192W
• 開關能量: 3.4mJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 200nC
• 25°C時的Td（開/關）: 89ns/235ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB25N120SWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 25A 1200V TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 385W
• 開關能量: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 178nC
• 25°C時的Td（開/關）: 87ns/179ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 154ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTB30N120FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 452W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 452W
• 開關能量: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 220nC
• 25°C時的Td（開/關）: 98ns/210ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 240ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB30N120IHLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 320A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 420nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/360ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB30N120IHRWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 384W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 384W
• 開關能量: 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 225nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/230ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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