晶體管

NGTD21T65F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 45A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTD21T65F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 45A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTD23T120F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTD23T120F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTD28T65F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTD28T65F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTD30T120F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTD30T120F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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NGTG12N60TF1G

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 88A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 54W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 55ns/200ns
• 測試條件: 300V, 15A, 30Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: -

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NGTG15N120FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 15A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 294W
• 開關能量: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 109nC
• 25°C時的Td（開/關）: 64ns/128ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTG15N60S1EG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 30A 117W TO220-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 117W
• 開關能量: 550µJ (on), 350µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 88nC
• 25°C時的Td（開/關）: 65ns/170ns
• 測試條件: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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NGTG20N60L2TF1G

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 105A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 64W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/193ns
• 測試條件: 300V, 20A, 30Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: -

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NGTG25N120FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 25A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 385W
• 開關能量: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 178nC
• 25°C時的Td（開/關）: 87ns/179ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTG30N60FLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 250W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 700µJ (on), 280µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 170nC
• 25°C時的Td（開/關）: 83ns/170ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTG30N60FWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 167W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 650µJ (on), 650µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 170nC
• 25°C時的Td（開/關）: 81ns/190ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTG35N65FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 60A 167W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 300W
• 開關能量: 840µJ (on), 280µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 125nC
• 25°C時的Td（開/關）: 72ns/132ns
• 測試條件: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTG40N120FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 535W
• 開關能量: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 313nC
• 25°C時的Td（開/關）: 116ns/286ns
• 測試條件: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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NGTG50N60FLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 223W
• 開關能量: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 310nC
• 25°C時的Td（開/關）: 116ns/292ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTG50N60FWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 223W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 223W
• 開關能量: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 310nC
• 25°C時的Td（開/關）: 117ns/285ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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RGC80TSX8RGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1800V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 535W
• 開關能量: 1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 468nC
• 25°C時的Td（開/關）: 80ns/565ns
• 測試條件: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGCL60TK60DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 54W
• 開關能量: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 68nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/186ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGCL60TK60GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 54W
• 開關能量: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 68nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/186ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGCL60TS60DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 111W
• 開關能量: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 68nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/186ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGCL60TS60GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 111W
• 開關能量: 770µJ (on), 1.11mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 68nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/186ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGCL80TK60DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 57W
• 開關能量: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 98nC
• 25°C時的Td（開/關）: 53ns/227ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGCL80TK60GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 57W
• 開關能量: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 98nC
• 25°C時的Td（開/關）: 53ns/227ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGCL80TS60DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 148W
• 開關能量: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 98nC
• 25°C時的Td（開/關）: 53ns/227ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGCL80TS60GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 148W
• 開關能量: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 98nC
• 25°C時的Td（開/關）: 53ns/227ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGPR10BM40FHTL

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 460V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.0V @ 5V, 10A
• 功率-最大: 107W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 14nC
• 25°C時的Td（開/關）: 500ns/4µs
• 測試條件: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 75°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252

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RGPR20NS43HRTL

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

430V 20A IGNITION IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 460V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.0V @ 5V, 10A
• 功率-最大: 107W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 14nC
• 25°C時的Td（開/關）: 500ns/4µs
• 測試條件: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: LPDS

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