晶體管

型號	描述	庫存
NGTB40N65IHRTG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 650V/40A RC IGBT 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 40A 功率-最大: 405W 開關能量: 420µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 190nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存6,084
NGTB40N65IHRWG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 40A 功率-最大: 405W 開關能量: 420µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 190nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存7,740
NGTB45N60S1WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 45A 600V TO-247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A 功率-最大: 300W 開關能量: 1.25mJ (on), 530µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 125nC 25°C時的Td（開/關）: 72ns/132ns 測試條件: 400V, 45A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 70ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存3,816
NGTB45N60S2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 45A 600V TO-247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 45A 功率-最大: 300W 開關能量: 360µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 135nC 25°C時的Td（開/關）: -/151ns 測試條件: 400V, 45A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 498ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存7,848
NGTB45N60SWG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 45A TO-247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A 功率-最大: 250W 開關能量: 550µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 134nC 25°C時的Td（開/關）: 70ns/144ns 測試條件: 400V, 45A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 376ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存4,104
NGTB50N120FL2WAG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 50A 功率-最大: 536W 開關能量: 2.15mJ (on), 1.4mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 313nC 25°C時的Td（開/關）: 28ns/150ns 測試條件: 600V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 281ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-4 供應商設備包裝: TO-247-4L	庫存7,032
NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 100A 535W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A 功率-最大: 535W 開關能量: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 311nC 25°C時的Td（開/關）: 118ns/282ns 測試條件: 600V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 256ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存851
NGTB50N60FL2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 50A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A 功率-最大: 417W 開關能量: 1.5mJ (on), 460µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 220nC 25°C時的Td（開/關）: 100ns/237ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 94ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存1,222
NGTB50N60FLWG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 50A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A 功率-最大: 223W 開關能量: 1.1mJ (on), 600µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 310nC 25°C時的Td（開/關）: 116ns/292ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 85ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存5,328
NGTB50N60FWG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 100A 223W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 50A 功率-最大: 223W 開關能量: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 310nC 25°C時的Td（開/關）: 117ns/285ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 77ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存5,382
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 50A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 50A 功率-最大: 500W 開關能量: 800µJ (on), 600µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 310nC 25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 67ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存428
NGTB50N60S1WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 50A 600V TO-247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A 功率-最大: 417W 開關能量: 1.5mJ (on), 460µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 220nC 25°C時的Td（開/關）: 100ns/237ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 94ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存8,370
NGTB50N60SWG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 50A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 50A 功率-最大: - 開關能量: 600µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 135nC 25°C時的Td（開/關）: 70ns/144ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 376ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存5,634
NGTB50N65FL2WAG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT FIELD STOP 650V TO247-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A 功率-最大: 417W 開關能量: 420µJ (on), 550µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 215nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/123ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 94ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-4 供應商設備包裝: TO-247-4L	庫存6,624
NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 50A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A 功率-最大: 417W 開關能量: 1.5mJ (on), 460µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 220nC 25°C時的Td（開/關）: 100ns/237ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 94ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存1,024
NGTB50N65S1WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH 650V 140A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A 電流-集電極脈沖（Icm）: 140A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A 功率-最大: 300W 開關能量: 1.25mJ (on), 530µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 128nC 25°C時的Td（開/關）: 75ns/128ns 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 70ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存6,642
NGTB60N60SWG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 120A 298W TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A 功率-最大: 298W 開關能量: 1.41mJ (on), 600µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 173nC 25°C時的Td（開/關）: 87ns/180ns 測試條件: 400V, 60A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 76ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存1,664
NGTB60N65FL2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 650V/60A IGBT FSII 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 60A 功率-最大: 595W 開關能量: 1.59mJ (on), 660µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 318nC 25°C時的Td（開/關）: 117ns/265ns 測試條件: 400V, 60A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 96ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存5,533
NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 75A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A 功率-最大: 595W 開關能量: 1.5mJ (on), 1mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 310nC 25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns 測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 80ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存3,492
NGTB75N60SWG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 75A 600V TO-247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A 功率-最大: 595W 開關能量: 1.5mJ (on), 1mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 310nC 25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns 測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 80ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247-3	庫存3,294
NGTB75N65FL2WAG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT FIELD STOP 650V TO247-4 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A 功率-最大: 536W 開關能量: 610µJ (on), 1.2mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 310nC 25°C時的Td（開/關）: 23ns/157ns 測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 90ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-4 供應商設備包裝: TO-247-4L	庫存8,532
NGTB75N65FL2WG ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 75A TO247 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A 功率-最大: 595W 開關能量: 1.5mJ (on), 1mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 310nC 25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns 測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 80ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-247-3 供應商設備包裝: TO-247	庫存6,108
NGTD13T65F2SWK ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 30A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,132
NGTD13T65F2WP ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 30A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存4,410
NGTD14T65F2SWK ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存2,646
NGTD14T65F2WP ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存5,094
NGTD17T65F2SWK ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存6,426
NGTD17T65F2WP ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存7,722
NGTD20T120F2SWK ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存3,418
NGTD20T120F2WP ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A 功率-最大: - 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: - 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存6,750

NGTB40N65IHRTG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V/40A RC IGBT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 40A
功率-最大: 405W
開關能量: 420µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 190nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存6,084

NGTB40N65IHRWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 40A
功率-最大: 405W
開關能量: 420µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 190nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存7,740

NGTB45N60S1WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 45A 600V TO-247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A
功率-最大: 300W
開關能量: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 125nC
25°C時的Td（開/關）: 72ns/132ns
測試條件: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 70ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存3,816

NGTB45N60S2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 45A 600V TO-247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 45A
功率-最大: 300W
開關能量: 360µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 135nC
25°C時的Td（開/關）: -/151ns
測試條件: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 498ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存7,848

NGTB45N60SWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 45A TO-247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 45A
功率-最大: 250W
開關能量: 550µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 134nC
25°C時的Td（開/關）: 70ns/144ns
測試條件: 400V, 45A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 376ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存4,104

NGTB50N120FL2WAG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 50A
功率-最大: 536W
開關能量: 2.15mJ (on), 1.4mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 313nC
25°C時的Td（開/關）: 28ns/150ns
測試條件: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 281ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-4
供應商設備包裝: TO-247-4L

庫存7,032

NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A 535W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A
功率-最大: 535W
開關能量: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 311nC
25°C時的Td（開/關）: 118ns/282ns
測試條件: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 256ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存851

NGTB50N60FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A
功率-最大: 417W
開關能量: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 220nC
25°C時的Td（開/關）: 100ns/237ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 94ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存1,222

NGTB50N60FLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
功率-最大: 223W
開關能量: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 310nC
25°C時的Td（開/關）: 116ns/292ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 85ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存5,328

NGTB50N60FWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 223W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 50A
功率-最大: 223W
開關能量: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 310nC
25°C時的Td（開/關）: 117ns/285ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 77ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存5,382

NGTB50N60L2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 50A
功率-最大: 500W
開關能量: 800µJ (on), 600µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 310nC
25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 67ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存428

NGTB50N60S1WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 50A 600V TO-247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A
功率-最大: 417W
開關能量: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 220nC
25°C時的Td（開/關）: 100ns/237ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 94ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存8,370

NGTB50N60SWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 50A
功率-最大: -
開關能量: 600µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 135nC
25°C時的Td（開/關）: 70ns/144ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 376ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存5,634

NGTB50N65FL2WAG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 160A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A
功率-最大: 417W
開關能量: 420µJ (on), 550µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 215nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/123ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 94ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-4
供應商設備包裝: TO-247-4L

庫存6,624

NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A
功率-最大: 417W
開關能量: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 220nC
25°C時的Td（開/關）: 100ns/237ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 94ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存1,024

NGTB50N65S1WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH 650V 140A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
電流-集電極脈沖（Icm）: 140A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 50A
功率-最大: 300W
開關能量: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 128nC
25°C時的Td（開/關）: 75ns/128ns
測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 70ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存6,642

NGTB60N60SWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 120A 298W TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A
功率-最大: 298W
開關能量: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 173nC
25°C時的Td（開/關）: 87ns/180ns
測試條件: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 76ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存1,664

NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V/60A IGBT FSII

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 60A
功率-最大: 595W
開關能量: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 318nC
25°C時的Td（開/關）: 117ns/265ns
測試條件: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 96ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存5,533

NGTB75N60FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 75A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A
功率-最大: 595W
開關能量: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 310nC
25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns
測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 80ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存3,492

NGTB75N60SWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 75A 600V TO-247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A
功率-最大: 595W
開關能量: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 310nC
25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns
測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 80ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247-3

庫存3,294

NGTB75N65FL2WAG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A
功率-最大: 536W
開關能量: 610µJ (on), 1.2mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 310nC
25°C時的Td（開/關）: 23ns/157ns
測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 90ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-4
供應商設備包裝: TO-247-4L

庫存8,532

NGTB75N65FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 75A TO247

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 75A
功率-最大: 595W
開關能量: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 310nC
25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns
測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 80ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-247-3
供應商設備包裝: TO-247

庫存6,108

NGTD13T65F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 30A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,132

NGTD13T65F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 30A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存4,410

NGTD14T65F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存2,646

NGTD14T65F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 35A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存5,094

NGTD17T65F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存6,426

NGTD17T65F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存7,722

NGTD20T120F2SWK

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存3,418

NGTD20T120F2WP

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
功率-最大: -
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: -
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存6,750

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