晶體管

RGT50TM65DGC9

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 21A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 47W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/88ns
• 測試條件: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NFM

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RGT50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 48A 174W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 174W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/88ns
• 測試條件: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGT60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 55A 194W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 55A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 194W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 58nC
• 25°C時的Td（開/關）: 29ns/100ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGT80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 70A 234W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 234W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 34ns/119ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGT8BM65DTL

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 8A 62W TO-252

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 12A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 62W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/69ns
• 測試條件: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252

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RGT8NL65DGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 12A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 65W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/69ns
• 測試條件: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: LPDS

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RGT8NS65DGC9

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 12A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 65W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/69ns
• 測試條件: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: TO-262

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RGT8NS65DGTL

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 8A 65W TO-263S

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 12A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 65W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/69ns
• 測試條件: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: LPDS (TO-263S)

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RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 12A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 16W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/69ns
• 測試條件: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220NFM

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RGTH00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 72W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 94nC
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/143ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 225ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH00TK65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 72W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 94nC
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/143ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 85A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 277W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 94nC
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/143ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 54ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH00TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 85A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 277W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 94nC
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/143ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH40TK65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 56W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 40nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/73ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH40TK65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 56W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 40nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/73ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH40TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 40A 144W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 144W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 40nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/73ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH40TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 40A 144W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 144W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 40nC
• 25°C時的Td（開/關）: 22ns/73ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH50TK65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 26A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 59W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/94ns
• 測試條件: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH50TK65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 26A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 59W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/94ns
• 測試條件: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 174W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/94ns
• 測試條件: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH50TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 174W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/94ns
• 測試條件: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH60TK65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 61W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 58nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH60TK65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 61W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 58nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 58A 194W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 58A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 194W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 58nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH60TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 58A 197W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 58A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 197W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 58nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH80TK65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 66W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 34ns/120ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH80TK65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 31A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 66W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 34ns/120ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTH80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 70A 234W TO-247N

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 234W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 34ns/120ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 58ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTH80TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 234W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 34ns/120ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTV00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 94W
• 開關能量: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 104nC
• 25°C時的Td（開/關）: 41ns/142ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 102ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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