晶體管

RGTV00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 94W
• 開關能量: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 104nC
• 25°C時的Td（開/關）: 41ns/142ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGTV00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 95A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 276W
• 開關能量: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 104nC
• 25°C時的Td（開/關）: 41ns/142ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 102ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTV00TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 95A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 276W
• 開關能量: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 104nC
• 25°C時的Td（開/關）: 41ns/142ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 76W
• 開關能量: 570µJ (on), 500µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 64nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 76W
• 開關能量: 570µJ (on), 500µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 64nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 194W
• 開關能量: 570µJ (on), 500µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 64nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTV60TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 194W
• 開關能量: 570µJ (on), 500µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 64nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/105ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTVX6TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 144A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 320A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 404W
• 開關能量: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 171nC
• 25°C時的Td（開/關）: 45ns/201ns
• 測試條件: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 109ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGTVX6TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 144A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 320A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 404W
• 開關能量: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 171nC
• 25°C時的Td（開/關）: 45ns/201ns
• 測試條件: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 89W
• 開關能量: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 141nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/180ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGW00TK65GVC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 89W
• 開關能量: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 141nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/180ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGW00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 96A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 254W
• 開關能量: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 141nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/180ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGW00TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 96A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 254W
• 開關能量: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 141nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/180ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 72W
• 開關能量: 480µJ (on), 490µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 37ns/114ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 92ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGW60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 72W
• 開關能量: 480µJ (on), 490µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 37ns/114ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGW60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 178W
• 開關能量: 480µJ (on), 490µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 37ns/114ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 92ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGW60TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 178W
• 開關能量: 480µJ (on), 490µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 37ns/114ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGW80TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 39A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 81W
• 開關能量: 760µJ (on), 720µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/143ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 92ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGW80TK65GVC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 39A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 81W
• 開關能量: 760µJ (on), 720µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/143ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PFM, SC-93-3
• 供應商設備包裝: TO-3PFM

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RGW80TS65DGC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 214W
• 開關能量: 760µJ (on), 720µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/143ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 92ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RGW80TS65GC11

Rohm Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 214W
• 開關能量: 760µJ (on), 720µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/143ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247N

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RJH1BF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1100V 55A 227.2W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1100V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 55A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 55A
• 功率-最大: 227.2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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RJH1BF7RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1100V 60A 250W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1100V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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RJH1BG7RDPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1100V 60A 250W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RJH1CF4RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 156.2W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 156.2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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RJH1CF5RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 192.3W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 192.3W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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RJH1CF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 55A 227.2W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 55A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 227.2W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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RJH1CF7RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 250W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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RJH1CM5DPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 245W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 245W
• 開關能量: 1.6mJ (on), 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 74nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/100ns
• 測試條件: 600V, 15A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 200ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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RJH1CV5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 245W TO-3P

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 245W
• 開關能量: 1.9mJ (on), 1.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 72nC
• 25°C時的Td（開/關）: 42ns/105ns
• 測試條件: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 170ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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