晶體管

型號	描述	庫存
IRF7343TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存28,560
IRF7350PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A, 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,610
IRF7350TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A, 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,074
IRF7351PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 30V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,352
IRF7351TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 30V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存610,638
IRF7379 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,354
IRF7379PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,112
IRF7379QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,832
IRF7379TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,858
IRF7379TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,462
IRF7380PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,160
IRF7380QTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,430
IRF7380TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存34,398
IRF7389 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,276
IRF7389PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,960
IRF7389TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,562
IRF7389TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存98,604
IRF7501TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存8,226
IRF7501TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存33,000
IRF7503TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存6,840
IRF7503TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存81,738
IRF7504TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存5,742
IRF7504TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存2,304
IRF7506TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存5,032
IRF7506TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存7,614
IRF7507PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存7,686
IRF7507TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存1,813
IRF7507TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存334,356
IRF7509TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存7,812
IRF7509TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 供應商設備包裝: Micro8™	庫存314,280

IRF7343TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存28,560

IRF7350PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A, 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,610

IRF7350TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A, 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,074

IRF7351PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 30V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,352

IRF7351TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1330pF @ 30V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存610,638

IRF7379

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,354

IRF7379PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,112

IRF7379QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,832

IRF7379TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,858

IRF7379TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,462

IRF7380PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,160

IRF7380QTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,430

IRF7380TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存34,398

IRF7389

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,276

IRF7389PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,960

IRF7389TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,562

IRF7389TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存98,604

IRF7501TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存8,226

IRF7501TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存33,000

IRF7503TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存6,840

IRF7503TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存81,738

IRF7504TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存5,742

IRF7504TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 240pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存2,304

IRF7506TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存5,032

IRF7506TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存7,614

IRF7507PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA (Min)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存7,686

IRF7507TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存1,813

IRF7507TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A, 1.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 700mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 260pF @ 15V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存334,356

IRF7509TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存7,812

IRF7509TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝: Micro8™

庫存314,280

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