晶體管

IRG6I330U-110P

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.55V @ 15V, 28A
• 功率-最大: 43W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/120ns
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRG6I330U-111P

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.55V @ 15V, 28A
• 功率-最大: 43W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/120ns
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRG6I330U-168P

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.55V @ 15V, 28A
• 功率-最大: 43W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IRG6I330UPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.55V @ 15V, 28A
• 功率-最大: 43W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 86nC
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/120ns
• 測試條件: 196V, 25A, 10Ohm
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak

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IRG6IC30U-110P

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.38V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 43W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak

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IRG6IC30UPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 25A 37W TO220ABFP

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.88V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 37W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/160ns
• 測試條件: 400V, 25A, 10Ohm
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB Full-Pak

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IRG6S320UPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 114W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 46nC
• 25°C時的Td（開/關）: 24ns/89ns
• 測試條件: 196V, 12A, 10Ohm
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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IRG6S320UTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 114W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 46nC
• 25°C時的Td（開/關）: 24ns/89ns
• 測試條件: 196V, 12A, 10Ohm
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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IRG6S320UTRRPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 50A 114W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.65V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 114W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 46nC
• 25°C時的Td（開/關）: 24ns/89ns
• 測試條件: 196V, 12A, 10Ohm
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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IRG6S330UPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 70A 160W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 86nC
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/120ns
• 測試條件: 196V, 25A, 10Ohm
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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IRG7CH11K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH20K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH23K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH28UED

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH28UEF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.55V @ 15V, 2.5A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 60nC
• 25°C時的Td（開/關）: 35ns/225ns
• 測試條件: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH30K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.56V @ 15V, 10A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 4.8nC
• 25°C時的Td（開/關）: 10ns/90ns
• 測試條件: 600V, 10A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH35UED

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH35UEF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 5A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 85nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/160ns
• 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH37K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 15A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 80nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/122ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH42UED

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH42UEF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 5A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 157nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25ns/229ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH44K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 25A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 160nC
• 25°C時的Td（開/關）: 60ns/230ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH46UED

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH46UEF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT CHIP WAFER

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 170nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/280ns
• 測試條件: 600V, 35A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH50UED

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH50UEF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: *
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IRG7CH54K10EF-R

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 10A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 290nC
• 25°C時的Td（開/關）: 75ns/305ns
• 測試條件: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH73K10EF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 20A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 360nC
• 25°C時的Td（開/關）: 63ns/267ns
• 測試條件: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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IRG7CH73K10EF-R

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 15V, 20A
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 420nC
• 25°C時的Td（開/關）: 105ns/45ns
• 測試條件: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die

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