晶體管

型號	描述	庫存
APTC60HM70RT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: - 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,146
APTC60HM70SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存2,178
APTC60HM70T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,672
APTC60HM70T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,418
APTC60HM83FT2G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 83mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7290pF @ 25V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存8,190
APTC60TAM21SCTPAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 88A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 580nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 100V 功率-最大: 625W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6-P	庫存5,022
APTC60TAM24TPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V 功率-最大: 462W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存8,514
APTC60TAM35PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V 功率-最大: 416W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,056
APTC60TDUM35PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V 功率-最大: 416W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,740
APTC60VDAM24T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V 功率-最大: 462W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,334
APTC60VDAM45T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,876
APTC80A10SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 273nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6761pF @ 25V 功率-最大: 416W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,464
APTC80A15SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,618
APTC80A15T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,042
APTC80AM75SCG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 364nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9015pF @ 25V 功率-最大: 568W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,520
APTC80DDA15T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,718
APTC80DDA29T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V 功率-最大: 156W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,446
APTC80DSK15T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,618
APTC80DSK29T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V 功率-最大: 156W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,336
APTC80H15T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存4,302
APTC80H15T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,984
APTC80H29SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V 功率-最大: 156W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,418
APTC80H29T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V 功率-最大: 156W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,970
APTC80H29T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V 功率-最大: 156W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,650
APTC80TA15PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,704
APTC80TDU15PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V 功率-最大: 277W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存5,994
APTC90AM602G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V 功率-最大: 462W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存4,986
APTC90AM60SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V 功率-最大: 462W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,902
APTC90AM60T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V 功率-最大: 462W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,520
APTC90DDA12T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,696

APTC60HM70RT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: -
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,146

APTC60HM70SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存2,178

APTC60HM70T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,672

APTC60HM70T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 39A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2.7mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 259nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,418

APTC60HM83FT2G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 83mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 255nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7290pF @ 25V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存8,190

APTC60TAM21SCTPAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 88A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 580nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13000pF @ 100V
功率-最大: 625W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6-P

庫存5,022

APTC60TAM24TPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
功率-最大: 462W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存8,514

APTC60TAM35PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
功率-最大: 416W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,056

APTC60TDUM35PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5.4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 518nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
功率-最大: 416W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,740

APTC60VDAM24T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 95A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
功率-最大: 462W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,334

APTC60VDAM45T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 25V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,876

APTC80A10SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 273nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6761pF @ 25V
功率-最大: 416W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,464

APTC80A15SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,618

APTC80A15T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,042

APTC80AM75SCG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 56A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 364nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9015pF @ 25V
功率-最大: 568W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,520

APTC80DDA15T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,718

APTC80DDA29T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V
功率-最大: 156W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,446

APTC80DSK15T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,618

APTC80DSK29T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V
功率-最大: 156W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,336

APTC80H15T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存4,302

APTC80H15T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,984

APTC80H29SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V
功率-最大: 156W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,418

APTC80H29T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V
功率-最大: 156W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,970

APTC80H29T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2254pF @ 25V
功率-最大: 156W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,650

APTC80TA15PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,704

APTC80TDU15PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4507pF @ 25V
功率-最大: 277W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存5,994

APTC90AM602G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
功率-最大: 462W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存4,986

APTC90AM60SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
功率-最大: 462W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,902

APTC90AM60T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
功率-最大: 462W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,520

APTC90DDA12T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,696

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