晶體管

型號	描述	庫存
APTC90DSK12T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,754
APTC90H12SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,816
APTC90H12T1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存8,784
APTC90H12T2G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP2 供應商設備包裝: SP2	庫存4,500
APTC90HM60T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V 功率-最大: 462W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,456
APTC90TAM60TPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: CoolMOS™ FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Super Junction 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V 功率-最大: 462W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,218
APTJC120AM13VCT1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET SIC PHASE LEG MODULE 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存5,904
APTJC120AM25VCT1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET MODULE 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,348
APTM08TAM04PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V 功率-最大: 138W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存5,861
APTM08TDUM04PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V 功率-最大: 138W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,902
APTM100A12STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 616nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17400pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,546
APTM100A13DG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,058
APTM100A13SCG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,100
APTM100A13SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存7,470
APTM100A18FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,930
APTM100A23SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,876
APTM100A23STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,942
APTM100A40FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7868pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存7,884
APTM100A46FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,384
APTM100AM90FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,966
APTM100DDA35T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,904
APTM100DSK35T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,344
APTM100DU18TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存2,214
APTM100DUM90G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,916
APTM100H18FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,682
APTM100H35FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,596
APTM100H35FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,362
APTM100H45FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,228
APTM100H45SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,822
APTM100H45STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,356

APTC90DSK12T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,754

APTC90H12SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,816

APTC90H12T1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存8,784

APTC90H12T2G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 270nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 100V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP2
供應商設備包裝: SP2

庫存4,500

APTC90HM60T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
功率-最大: 462W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,456

APTC90TAM60TPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: CoolMOS™
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Super Junction
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 59A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 540nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13600pF @ 100V
功率-最大: 462W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,218

APTJC120AM13VCT1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET SIC PHASE LEG MODULE

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存5,904

APTJC120AM25VCT1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET MODULE

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,348

APTM08TAM04PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V
功率-最大: 138W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存5,861

APTM08TDUM04PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4530pF @ 25V
功率-最大: 138W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,902

APTM100A12STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 616nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17400pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,546

APTM100A13DG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,058

APTM100A13SCG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,100

APTM100A13SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 65A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 562nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存7,470

APTM100A18FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,930

APTM100A23SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,876

APTM100A23STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 36A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 308nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8700pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,942

APTM100A40FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 305nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7868pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存7,884

APTM100A46FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,384

APTM100AM90FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,966

APTM100DDA35T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,904

APTM100DSK35T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,344

APTM100DU18TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存2,214

APTM100DUM90G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 744nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20700pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,916

APTM100H18FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 372nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10400pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,682

APTM100H35FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,596

APTM100H35FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,362

APTM100H45FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,228

APTM100H45SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,822

APTM100H45STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 154nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4350pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,356

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