晶體管

型號	描述	庫存
APTM100H46FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,204
APTM100H80FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 960mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3876pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存8,568
APTM100TA35FPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存5,490
APTM100TA35SCTPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP6-P	庫存6,426
APTM100TDU35PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存6,210
APTM100VDA35T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,712
APTM10AM02FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,032
APTM10AM05FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,600
APTM10DDAM09T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,070
APTM10DDAM19T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,428
APTM10DHM05G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,462
APTM10DHM09T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS V® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,380
APTM10DHM09TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,316
APTM10DSKM09T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,070
APTM10DSKM19T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,246
APTM10DUM02G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,898
APTM10DUM05TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,546
APTM10HM05FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存7,740
APTM10HM09FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,588
APTM10HM09FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,948
APTM10HM19FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,932
APTM10TAM09FPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存7,416
APTM10TAM19FPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存8,352
APTM10TDUM09PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存3,726
APTM10TDUM19PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存6,804
APTM120A15FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,328
APTM120A20DG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 600nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,580
APTM120A20SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 600nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,292
APTM120A29FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,166
APTM120A65FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存4,194

APTM100H46FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 552mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6800pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,204

APTM100H80FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 960mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3876pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存8,568

APTM100TA35FPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存5,490

APTM100TA35SCTPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP6-P

庫存6,426

APTM100TDU35PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存6,210

APTM100VDA35T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 186nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,712

APTM10AM02FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,032

APTM10AM05FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,600

APTM10DDAM09T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,070

APTM10DDAM19T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,428

APTM10DHM05G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,462

APTM10DHM09T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS V®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,380

APTM10DHM09TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,316

APTM10DSKM09T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,070

APTM10DSKM19T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,246

APTM10DUM02G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 495A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40000pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,898

APTM10DUM05TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,546

APTM10HM05FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 278A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 700nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20000pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存7,740

APTM10HM09FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,588

APTM10HM09FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,948

APTM10HM19FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,932

APTM10TAM09FPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存7,416

APTM10TAM19FPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存8,352

APTM10TDUM09PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 139A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 350nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存3,726

APTM10TDUM19PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5100pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存6,804

APTM120A15FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,328

APTM120A20DG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 600nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,580

APTM120A20SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 600nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15200pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,292

APTM120A29FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,166

APTM120A65FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 300nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存4,194

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