晶體管

型號	描述	庫存
APTM120A80FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6696pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存2,898
APTM120DDA57T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,680
APTM120DSK57T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,906
APTM120DU15G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,984
APTM120DU29TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,032
APTM120H140FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.68Ohm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3812pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,942
APTM120H29FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存3,006
APTM120H57FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,766
APTM120H57FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,118
APTM120TA57FPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存3,240
APTM120TDU57PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存2,124
APTM120VDA57T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,340
APTM20AM04FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,966
APTM20AM05FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V 功率-最大: 1136W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,788
APTM20AM05FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 333A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1184nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40800pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存2,250
APTM20AM06SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 150A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 325nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18500pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存7,110
APTM20AM08FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,460
APTM20AM10FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,024
APTM20AM10STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,078
APTM20DHM08G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,328
APTM20DHM10G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存7,794
APTM20DHM16T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,714
APTM20DHM16TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存2,826
APTM20DHM20TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6850pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,860
APTM20DUM04G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,088
APTM20DUM05G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V 功率-最大: 1136W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,466
APTM20DUM05TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 333A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1184nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40800pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,138
APTM20DUM08TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,688
APTM20DUM10TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,914
APTM20HM08FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存7,938

APTM120A80FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 260nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6696pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存2,898

APTM120DDA57T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,680

APTM120DSK57T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,906

APTM120DU15G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 748nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20600pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,984

APTM120DU29TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,032

APTM120H140FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.68Ohm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 145nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3812pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,942

APTM120H29FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 374nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10300pF @ 25V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存3,006

APTM120H57FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,766

APTM120H57FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,118

APTM120TA57FPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存3,240

APTM120TDU57PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存2,124

APTM120VDA57T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 684mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 187nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5155pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,340

APTM20AM04FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,966

APTM20AM05FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V
功率-最大: 1136W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,788

APTM20AM05FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 333A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1184nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40800pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存2,250

APTM20AM06SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 150A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 325nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18500pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存7,110

APTM20AM08FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,460

APTM20AM10FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,024

APTM20AM10STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,078

APTM20DHM08G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,328

APTM20DHM10G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存7,794

APTM20DHM16T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,714

APTM20DHM16TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存2,826

APTM20DHM20TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6850pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,860

APTM20DUM04G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 372A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 186A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28900pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,088

APTM20DUM05G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 317A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 448nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27400pF @ 25V
功率-最大: 1136W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,466

APTM20DUM05TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 333A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 166.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1184nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 40800pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,138

APTM20DUM08TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,688

APTM20DUM10TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,914

APTM20HM08FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 208A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存7,938

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