晶體管

型號	描述	庫存
BSD235N L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.32nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 63pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存6,678
BSD340NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SMALL SIGNAL+P-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存5,418
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 880mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 1.6µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.26nC @ 2.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存521,580
BSD840N L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 880mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 1.6µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.26nC @ 2.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存2,070
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A, 39A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 12V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存6,912
BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A, 41A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 12V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存3,006
BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A, 33A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 12V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存3,276
BSL205NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存8,190
BSL205NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存4,482
BSL207NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-1	庫存6,354
BSL207NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存8,424
BSL214NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存5,670
BSL214NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存6,462
BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.73nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存52,638
BSL215CL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.73nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存8,424
BSL215PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.55nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 346pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存3,546
BSL306NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存6,876
BSL306NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存2,538
BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存25,860
BSL308CL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存2,340
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存24,642
BSL308PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存7,236
BSL314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存3,294
BSL314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存5,328
BSL315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存6,678
BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A, 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存2,844
BSL316CL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A, 1.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 94pF @ 15V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存3,096
BSL806NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 259pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存2,970
BSL806NL6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 259pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6	庫存2,826
BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 10V 功率-最大: 600W 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存4,878

BSD235N L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 63pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存6,678

BSD340NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SMALL SIGNAL+P-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存5,418

BSD840NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 880mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 1.6µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存521,580

BSD840N L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 880mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 1.6µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 78pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存2,070

BSG0810NDIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A, 39A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1040pF @ 12V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存6,912

BSG0811NDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A, 41A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 12V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存3,006

BSG0813NDIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A, 33A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 12V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存3,276

BSL205NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存8,190

BSL205NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存4,482

BSL207NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-1

庫存6,354

BSL207NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 419pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存8,424

BSL214NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存5,670

BSL214NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存6,462

BSL215CH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存52,638

BSL215CL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存8,424

BSL215PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.55nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 346pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存3,546

BSL306NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存6,876

BSL306NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存2,538

BSL308CH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存25,860

BSL308CL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 500nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 275pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存2,340

BSL308PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存24,642

BSL308PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存7,236

BSL314PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存3,294

BSL314PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6.3µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 294pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存5,328

BSL315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存6,678

BSL316CH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A, 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 282pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存2,844

BSL316CL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A, 1.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 3.7µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.6nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 94pF @ 15V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存3,096

BSL806NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 259pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存2,970

BSL806NL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 750mV @ 11µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 259pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6

庫存2,826

BSM080D12P2C008

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SIC POWER MODULE-1200V-80A

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 13.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 10V
功率-最大: 600W
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存4,878

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