晶體管

型號	描述	庫存
AUIRF7319Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A, 4.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存46,243
AUIRF7319QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A, 4.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,388
AUIRF7341Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,330
AUIRF7341QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,840
AUIRF7342Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,888
AUIRF7342QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,130
AUIRF7343Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,348
AUIRF7343QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存35,334
AUIRF7379Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存51,499
AUIRF7379QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,030
AUIRF9952Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,856
AUIRF9952QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,732
AUIRFN8458TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 25V 功率-最大: 34W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PQFN (5x6)	庫存6,624
AUIRFN8459TR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V 功率-最大: 50W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PQFN (5x6)	庫存7,866
BSC072N03LDGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 15V 功率-最大: 57W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存4,644
BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A, 31A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 12V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存7,956
BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A, 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 12V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存45,954
BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A, 31A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1025pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存52,740
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A, 32A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存5,850
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A, 32A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存2,916
BSC0925NDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1157pF @ 15V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存6,660
BSC0993NDATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 30V 8TISON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PG-TISON-8	庫存7,146
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V 功率-最大: 26W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存135,564
BSC750N10NDGATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 12µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 50V 功率-最大: 26W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4	庫存5,688
BSD223P Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存8,118
BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存1,250,454
BSD223P L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存4,248
BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA, 530mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存575,064
BSD235C L6327 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA, 530mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存4,338
BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.32nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 63pF @ 10V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: PG-SOT363-6	庫存283,926

AUIRF7319Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A, 4.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存46,243

AUIRF7319QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A, 4.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,388

AUIRF7341Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,330

AUIRF7341QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,840

AUIRF7342Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,888

AUIRF7342QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,130

AUIRF7343Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,348

AUIRF7343QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 740pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存35,334

AUIRF7379Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存51,499

AUIRF7379QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A, 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 25V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,030

AUIRF9952Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,856

AUIRF9952QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,732

AUIRFN8458TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 25V
功率-最大: 34W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PQFN (5x6)

庫存6,624

AUIRFN8459TR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2250pF @ 25V
功率-最大: 50W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PQFN (5x6)

庫存7,866

BSC072N03LDGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3500pF @ 15V
功率-最大: 57W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存4,644

BSC0910NDIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A, 31A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4500pF @ 12V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存7,956

BSC0911NDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A, 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1600pF @ 12V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存45,954

BSC0921NDIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A, 31A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1025pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存52,740

BSC0923NDIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A, 32A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存5,850

BSC0924NDIATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A, 32A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存2,916

BSC0925NDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1157pF @ 15V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存6,660

BSC0993NDATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 30V 8TISON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PG-TISON-8

庫存7,146

BSC150N03LDGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V
功率-最大: 26W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存135,564

BSC750N10NDGATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 12µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 50V
功率-最大: 26W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PG-TDSON-8-4

庫存5,688

BSD223P

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存8,118

BSD223PH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存1,250,454

BSD223P L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 390mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.5µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 56pF @ 15V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存4,248

BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA, 530mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存575,064

BSD235C L6327

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT-363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA, 530mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 47pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存4,338

BSD235NH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 950mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1.6µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 63pF @ 10V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: PG-SOT363-6

庫存283,926

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