晶體管

型號	描述	庫存
APTM50DUM35TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,966
APTM50DUM38TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,832
APTM50H10FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4367pF @ 25V 功率-最大: 312W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,388
APTM50H14FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3259pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,202
APTM50H15FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5448pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,346
APTM50HM35FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存3,870
APTM50HM38FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,040
APTM50HM65FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,914
APTM50HM65FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,636
APTM50HM75FT3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,178
APTM50HM75FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,338
APTM50HM75SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5590pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存4,500
APTM50HM75STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,964
APTM50TAM65FPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存4,968
APTM50TDUM65PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存4,302
APTM60A11FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10552pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,868
APTM60A23FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5316pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存4,212
APTM60H23FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5316pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,966
APTMC120AM08CD3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 490nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9500pF @ 1000V 功率-最大: 1100W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存6,300
APTMC120AM09CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N Channel (Phase Leg) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 295A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 200A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 40mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 644nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 1000V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存5,796
APTMC120AM12CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N Channel (Phase Leg) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 30mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 483nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 1000V 功率-最大: 925W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,978
APTMC120AM16CD3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 131A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 5mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 1000V 功率-最大: 625W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: D-3 Module 供應商設備包裝: D3	庫存3,490
APTMC120AM20CT1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N Channel (Phase Leg) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 2mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5960pF @ 1000V 功率-最大: 600W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,732
APTMC120AM25CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 113A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 4mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 1000V 功率-最大: 500W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,316
APTMC120AM55CT1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 2mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 1000V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,562
APTMC120HM17CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 147A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 332nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5576pF @ 1000V 功率-最大: 750W 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3	庫存2,826
APTMC120HR11CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 1000V 功率-最大: 125W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3	庫存6,156
APTMC120HRM40CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 73A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 12.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2788pF @ 1000V 功率-最大: 375W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3	庫存4,716
APTMC120TAM12CTPAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 30mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 483nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 1000V 功率-最大: 925W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存4,572
APTMC120TAM17CTPAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 147A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 20mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 322nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 1000V 功率-最大: 625W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存2,340

APTM50DUM35TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,966

APTM50DUM38TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,832

APTM50H10FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4367pF @ 25V
功率-最大: 312W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,388

APTM50H14FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3259pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,202

APTM50H15FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5448pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,346

APTM50HM35FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存3,870

APTM50HM38FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,040

APTM50HM65FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,914

APTM50HM65FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,636

APTM50HM75FT3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,178

APTM50HM75FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,338

APTM50HM75SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5590pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存4,500

APTM50HM75STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,964

APTM50TAM65FPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存4,968

APTM50TDUM65PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存4,302

APTM60A11FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 330nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10552pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,868

APTM60A23FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5316pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存4,212

APTM60H23FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 165nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5316pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,966

APTMC120AM08CD3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 10mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 490nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9500pF @ 1000V
功率-最大: 1100W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存6,300

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N Channel (Phase Leg)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 295A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 200A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 40mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 644nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11000pF @ 1000V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存5,796

APTMC120AM12CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N Channel (Phase Leg)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 30mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 483nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 1000V
功率-最大: 925W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,978

APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 131A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 5mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4750pF @ 1000V
功率-最大: 625W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: D-3 Module
供應商設備包裝: D3

庫存3,490

APTMC120AM20CT1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N Channel (Phase Leg)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 143A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 2mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 360nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5960pF @ 1000V
功率-最大: 600W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,732

APTMC120AM25CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 113A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 4mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 197nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3800pF @ 1000V
功率-最大: 500W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,316

APTMC120AM55CT1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 2mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 1000V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,562

APTMC120HM17CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC MOSFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 147A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 30mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 332nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5576pF @ 1000V
功率-最大: 750W
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3

庫存2,826

APTMC120HR11CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC MOSFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 1000V
功率-最大: 125W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3

庫存6,156

APTMC120HRM40CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC MOSFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 73A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 12.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2788pF @ 1000V
功率-最大: 375W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3

庫存4,716

APTMC120TAM12CTPAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 30mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 483nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 1000V
功率-最大: 925W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存4,572

APTMC120TAM17CTPAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 147A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 20mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 322nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 1000V
功率-最大: 625W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存2,340

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