晶體管

型號	描述	庫存
APTMC120TAM33CTPAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 3mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 148nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 1000V 功率-最大: 370W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存3,420
APTMC120TAM34CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 15mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2788pF @ 1000V 功率-最大: 375W 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: SP3	庫存8,982
APTMC170AM30CT1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N Channel (Phase Leg) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V (1.7kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 100A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 5mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6160pF @ 1000V 功率-最大: 700W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存8,802
APTMC170AM60CT1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N Channel (Phase Leg) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V (1.7kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 50A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 2.5mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 1000V 功率-最大: 350W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存5,364
APTMC60TL11CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (Three Level Inverter) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 1000V 功率-最大: 125W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,286
APTMC60TLM14CAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (Three Level Inverter) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 219A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 30mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 483nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 1000V 功率-最大: 925W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存5,472
APTMC60TLM55CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (Three Level Inverter) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 2mA (Typ) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 1000V 功率-最大: 250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,916
APTML1002U60R020T3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V 功率-最大: 520W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,308
APTML102UM09R004T3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 154A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V 功率-最大: 480W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,268
APTML202UM18R010T3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 109A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9880pF @ 25V 功率-最大: 480W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,856
APTML502UM90R020T3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V 功率-最大: 568W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,748
APTML602U12R020T3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V 功率-最大: 568W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,020
APTSM120AM08CT6AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2300W 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,408
APTSM120AM09CD3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 337A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 180A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1224nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 1000V 功率-最大: - 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存3,168
APTSM120AM14CD3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 337A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 180A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 9mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1224nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 1000V 功率-最大: 2140W 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存2,160
APTSM120AM25CT3AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 148A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 544nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10200pF @ 1000V 功率-最大: 937W 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存6,444
APTSM120AM55CT1AG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 272nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5120pF @ 1000V 功率-最大: 470W 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存3,400
APTSM120TAM33CTPAG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 POWER MODULE - SIC 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 112A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 408nC @ 20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7680pF @ 1000V 功率-最大: 714W 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存6,858
AUIRF7103Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,716
AUIRF7103QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,280
AUIRF7303Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,374
AUIRF7303QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,652
AUIRF7304Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,992
AUIRF7304QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,950
AUIRF7309Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,580
AUIRF7309QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存28,158
AUIRF7313Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 755pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,174
AUIRF7313QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 755pF @ 25V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,958
AUIRF7316Q Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,640
AUIRF7316QTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,366

APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 3mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 148nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2850pF @ 1000V
功率-最大: 370W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存3,420

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC MOSFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 15mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 161nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2788pF @ 1000V
功率-最大: 375W
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: SP3

庫存8,982

APTMC170AM30CT1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N Channel (Phase Leg)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V (1.7kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 5mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 380nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6160pF @ 1000V
功率-最大: 700W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存8,802

APTMC170AM60CT1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N Channel (Phase Leg)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V (1.7kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 50A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 2.5mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 190nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3080pF @ 1000V
功率-最大: 350W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存5,364

APTMC60TL11CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 1000V
功率-最大: 125W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,286

APTMC60TLM14CAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 219A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 30mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 483nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8400pF @ 1000V
功率-最大: 925W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存5,472

APTMC60TLM55CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 2mA (Typ)
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1900pF @ 1000V
功率-最大: 250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,916

APTML1002U60R020T3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6000pF @ 25V
功率-最大: 520W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,308

APTML102UM09R004T3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 154A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9875pF @ 25V
功率-最大: 480W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,268

APTML202UM18R010T3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 109A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9880pF @ 25V
功率-最大: 480W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,856

APTML502UM90R020T3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
功率-最大: 568W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,748

APTML602U12R020T3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 25V
功率-最大: 568W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,020

APTSM120AM08CT6AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 370A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1360nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2300W
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,408

APTSM120AM09CD3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 337A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 180A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1224nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 1000V
功率-最大: -
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存3,168

APTSM120AM14CD3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 337A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 180A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 9mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1224nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 1000V
功率-最大: 2140W
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存2,160

APTSM120AM25CT3AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 148A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 4mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 544nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10200pF @ 1000V
功率-最大: 937W
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存6,444

APTSM120AM55CT1AG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 74A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 272nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5120pF @ 1000V
功率-最大: 470W
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存3,400

APTSM120TAM33CTPAG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

POWER MODULE - SIC

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 112A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 3mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 408nC @ 20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7680pF @ 1000V
功率-最大: 714W
工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存6,858

AUIRF7103Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,716

AUIRF7103QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 255pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,280

AUIRF7303Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,374

AUIRF7303QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 515pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,652

AUIRF7304Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,992

AUIRF7304QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 610pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,950

AUIRF7309Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,580

AUIRF7309QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 520pF @ 15V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存28,158

AUIRF7313Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 755pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,174

AUIRF7313QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 755pF @ 25V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,958

AUIRF7316Q

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,640

AUIRF7316QTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 34nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 710pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,366

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