晶體管

型號	描述	庫存
APTM20HM10FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存3,598
APTM20HM16FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,236
APTM20HM20FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6850pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存7,524
APTM20HM20STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6850pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,730
APTM20TAM16FPG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存2,934
APTM20TDUM16PG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6-P	庫存6,210
APTM50A15FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5448pF @ 25V 功率-最大: 208W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,678
APTM50AM17FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,446
APTM50AM19FG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V 功率-最大: 1136W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存7,362
APTM50AM19STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 85A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,084
APTM50AM24SCG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 434nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19600pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,716
APTM50AM24SG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 434nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19600pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存7,200
APTM50AM25FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 149A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 29600pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存2,214
APTM50AM35FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,876
APTM50AM38FTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 7® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,400
APTM50AM38SCTG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存3,598
APTM50AM38STG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存6,948
APTM50AM70FT1G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP1 供應商設備包裝: SP1	庫存6,966
APTM50DDA10T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4367pF @ 25V 功率-最大: 312W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存3,562
APTM50DDAM65T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存4,158
APTM50DHM35G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V 功率-最大: 781W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存2,124
APTM50DHM38G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V 功率-最大: 694W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存4,230
APTM50DHM65T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: POWER MOS 8™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 42A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存8,676
APTM50DHM65TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存5,580
APTM50DHM75TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V 功率-最大: 357W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,982
APTM50DSK10T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4367pF @ 25V 功率-最大: 312W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存7,380
APTM50DSKM65T3G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V 功率-最大: 390W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP3 供應商設備包裝: SP3	庫存2,088
APTM50DUM17G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存8,604
APTM50DUM19G Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V 功率-最大: 1136W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP6 供應商設備包裝: SP6	庫存8,064
APTM50DUM25TG Microsemi	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 149A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 29600pF @ 25V 功率-最大: 1250W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: SP4 供應商設備包裝: SP4	庫存8,532

APTM20HM10FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 175A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 224nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13700pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存3,598

APTM20HM16FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,236

APTM20HM20FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6850pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存7,524

APTM20HM20STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6850pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,730

APTM20TAM16FPG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存2,934

APTM20TDUM16PG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7220pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6-P

庫存6,210

APTM50A15FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 170nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5448pF @ 25V
功率-最大: 208W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,678

APTM50AM17FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,446

APTM50AM19FG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V
功率-最大: 1136W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存7,362

APTM50AM19STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,084

APTM50AM24SCG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 434nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19600pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,716

APTM50AM24SG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 6mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 434nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 19600pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存7,200

APTM50AM25FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 149A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 29600pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存2,214

APTM50AM35FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,876

APTM50AM38FTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 7®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,400

APTM50AM38SCTG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存3,598

APTM50AM38STG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存6,948

APTM50AM70FT1G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP1
供應商設備包裝: SP1

庫存6,966

APTM50DDA10T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4367pF @ 25V
功率-最大: 312W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存3,562

APTM50DDAM65T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存4,158

APTM50DHM35G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 99A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 280nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 25V
功率-最大: 781W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存2,124

APTM50DHM38G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 246nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 11200pF @ 25V
功率-最大: 694W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存4,230

APTM50DHM65T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: POWER MOS 8™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 42A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 340nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10800pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存8,676

APTM50DHM65TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存5,580

APTM50DHM75TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 123nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5600pF @ 25V
功率-最大: 357W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,982

APTM50DSK10T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 37A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 96nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4367pF @ 25V
功率-最大: 312W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存7,380

APTM50DSKM65T3G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 51A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 2.5mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7000pF @ 25V
功率-最大: 390W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP3
供應商設備包裝: SP3

庫存2,088

APTM50DUM17G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 560nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28000pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存8,604

APTM50DUM19G

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 163A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 492nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22400pF @ 25V
功率-最大: 1136W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP6
供應商設備包裝: SP6

庫存8,064

APTM50DUM25TG

Microsemi

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 149A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 8mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 29600pF @ 25V
功率-最大: 1250W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: SP4
供應商設備包裝: SP4

庫存8,532

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